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© 2004 仙童 半导体 公司
4-管脚 phOTO晶体管
OPTOCOUPLERS
FOD817
序列
*typical 值 在 t
一个
= 25°c.
*typical 值 在 t
一个
= 25°c.
注释
1.电流 转移 比率 (ctr) = i
C
/i
F
x 100%.
2. 为 测试 电路 建制 和 波形, 谈及 至 页 4.
3.为 这个 测试, 管脚 1 和 2 是 一般, 和 管脚 3 和 4 是 一般.
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 specified.)
单独的 组件 特性
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ* 最大值 单位
发射级
(i
F
= 20 毫安) V
F
— 1.2 1.4 V
输入 向前 电压
反转 泄漏 电流 (v
R
= 4.0 v) I
R
——10µA
Ter minal 电容 (v = 0, f = 1 khz) C
t
–30250 pF
探测器
集电级-发射级 损坏 电压 (i
C
= 0.1 毫安, i
F
= 0) BV
CEO
70 — — V
发射级-集电级 损坏 电压 (i
E
= 10 µa, i
F
= 0) BV
ECO
6– –V
集电级-发射级 dark 电流 (v
CE
= 20 v, i
F
= 0) I
CEO
—–100 nA
转移 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 specified.)
直流 典型的 测试 情况 标识 设备 最小值 Typ* 最大值 单位
电流 转移 比率 (i
F
= 5 毫安, v
CE
= 5 v) (便条 1) CTR
FOD817 50 — 600 %
FOD817A 80 — 160 %
FOD817B 130 — 260 %
FOD817C 200 — 400 %
FOD817D 300 — 600 %
集电级-发射级
饱和 电压
(i
F
= 20 毫安, i
C
= 1 毫安) V
ce (sat)
— 0.1 0.2 V
交流典型的
上升 时间 (i
C
= 2 毫安, v
CE
= 2 v, r
L
= 100
Ω
) (便条 2) t
r
—418µs
F所有 时间 (i
C
= 2 毫安, v
CE
= 2 v, r
L
= 100
Ω
) (便条 2) t
f
—318µs
分开 特性
典型的 测试 情况 标识 最小值 Typ* 最大值 单位
输入-输出 分开 电压 (便条 3) f = 60hz, t = 1 最小值 V
ISO
5000 vac(rms)
分开 阻抗 (v
i-o
= 500 vdc) R
ISO
5 x 10
10
10
11
Ω
分开 电容 (v
i-o
= 0, f = 1 mhz) C
ISO
0.6 1.0 pf
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