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资料编号:331316
 
资料名称:IRFP9240
 
文件大小: 166.13K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-12A)
 
 


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4-73
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
持续的 源 至 流 电流 I
SD
修改 场效应晶体管 标识
表明 这 integral re-
verse p-n 接合面 整流器
- - -12 一个
脉冲波 源 至 流 电流
(便条 3)
I
SDM
- - -48 一个
源 至 流 二极管 电压 (便条 2) V
SD
T
J
= 25
o
c, i
SD
= -12a, v
GS
= 0v, (图示 13) - - -1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
T
J
= 25
o
c, i
SD
= -11a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - 210 - ns
反转 恢复 承担 Q
RR
T
J
= 25
o
c, i
SD
= -11a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - 2.0 -
µ
C
注释:
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
3. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度. 看 瞬时 热的 阻抗 曲线 (图示 3).
4. V
DD
= 50v, 开始 t
J
= 25
o
c, l = 8.2mh, r
G
= 50
Ω,
顶峰 i
= 12a (计算数量 15, 16).
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. NORMALIZED 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 持续的 电流 vs
情况 温度
图示 3. 最大 瞬时 热的 阻抗
G
D
S
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
电源 消耗 乘法器
0.0
0 25 50 75 100 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
50 100
I
D
, 流 电流 (一个)
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
150
25 75 125
15
12
9
6
3
1
0.1
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
0.1 1 10
Z
θ
JC
, normalized
热的 阻抗
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
单独的 脉冲波
P
DM
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JC
x r
θ
JC
+ t
C
t
1
t
2
0.1
0.02
0.2
0.5
0.01
0.05
10
-2
2
IRFP9240
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