©2002 仙童 半导体 公司
FQA18N50V2
rev. b, 8月 2002
25 50 75 100 125 150
0
5
10
15
20
I
D
, 流 电流 [a]
T
C
, 情况 温度 [
℃
]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
N otes :
1 . z
θ
JC
(t) = 0.45
℃
/w M 一个x.
2. d uty f actor, d =t
1
/t
2
3 . t
JM
- t
C
= p
DM
* z
θ
JC
(t)
单独的 脉冲波
d=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
JC
(t), therm 一个l r esponse
t
1
, s qu一个 reW 一个veP ulseD u ratio n[sec]
典型 特性
(持续)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
直流
10 ms
1 ms
100 美国
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds(在)
※
注释 :
1. t
C
= 25
o
C
2. t
J
= 150
o
C
3. 单独的 脉冲波
I
D
, 流 电流 [a]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线
t
1
P
DM
t
2
-100 -50 0 50 100 150 200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
注释 :
1. v
GS
= 10 v
2. i
D
= 10 一个
R
ds(在)
, (normalized)
流-源 在-阻抗
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
-100 -50 0 50 100 150 200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. i
D
= 250
μ
一个
BV
DSS
, (normalized)
流-源 损坏 电压
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
图示 9
.
. .
.
最大 safe 运行 范围
图示 7. 损坏 电压 变化
vs. 温度
图示 8. 在-阻抗 变化
vs. 温度
图示 10. 最大 流 电流
vs. 情况 温度
: 点此下载
