©2002 仙童 半导体 公司
fqb22p10 / fqi22p10
rev. c, 8月 2002
0 102030405060708090100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
※
便条 : t
J
= 25
℃
V
GS
= - 20v
V
GS
= - 10v
R
ds(在)
[
Ω
],
流-源 在-阻抗
-i
D
, drain 电流 [a]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
顶 : -15.0 v
-10.0 v
-8.0 v
-7.0 v
-6.0 v
-5.5 v
-5.0 v
bottom : -4.5 v
※
注释 :
1. 250
μ
s 脉冲波 测试
2. t
C
= 25
℃
-i
D
, 流 电流 [a]
-v
DS
, 流-源 电压 [v]
0 1020304050
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -50v
V
DS
= -20v
V
DS
= -80v
※
便条 : i
D
= -22 一个
-v
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
C
iss
= c
gs
+ c
gd
(c
ds
= 短接)
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
rss
= c
gd
※
注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
oss
C
iss
Capacitance [pf]
-v
DS
, 流-源 voltage [v]
246810
10
-1
10
0
10
1
※
注释 :
1. v
DS
= -40v
2. 250
μ
s 脉冲波 测试
-55
℃
175
℃
25
℃
-i
D
, 流 电流 [a]
-v
GS
, 门-源 电压 [v]
典型 特性
图示 5. 电容 特性 图示 6. 门 承担 特性
图示 3. 在-阻抗 变化 vs.
流 电流 和 门 电压
图示 4. 身体 二极管 向前 电压
变化 vs. 源 电流
和 温度
图示 2. 转移 特性
图示 1. 在-区域 特性
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6
10
-1
10
0
10
1
25
℃
175
℃
※
注释 :
1. v
GS
= 0v
2. 250
μ
s 脉冲波 测试
-i
DR
, reverse drain current[A]
-v
SD
, 源-流 电压 [v]
图示 2. 转移 特性