将 2001
QFET
TM
fqb30n06l / fqi30n06l
©2001 仙童 半导体 公司 rev. a1. 将 2001
fqb30n06l / fqi30n06l
60v 逻辑 n-频道 场效应晶体管
一般 描述
这些 n-频道 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童’s 专卖的,
planar stripe, dmos 技术.
这个 先进的 技术 有 被 特别 tailored 至
降低 在-状态 阻抗, 提供 更好的 切换
效能, 和 承受 高 活力 脉冲波 在 这
avalanche 和 commutation 模式. 这些 设备 是 好
suited 为 低 电压 产品 此类 作 automotive, 直流/
直流 转换器, 和 高 效率 切换 为 电源
管理 在 可携带的 和 电池 运作 产品.
特性
• 32a, 60v, r
ds(在)
= 0.035
Ω
@V
GS
= 10 v
• 低 门 承担 ( 典型 15 nc)
• 低 crss ( 典型 50 pf)
• 快 切换
• 100% avalanche 测试
• 改进 dv/dt 能力
• 175
°
c 最大 接合面 温度 比率
!
"
!
!
!
"
"
"
!
"
!
!
!
"
"
"
绝对 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
标识 参数 fqb30n06l / fqi30n06l 单位
V
DSS
流-源 电压 60 V
I
D
流 电流
- 持续的 (t
C
= 25°c)
32 一个
- 持续的 (t
C
= 100°c)
22.6 一个
I
DM
流 电流 - 搏动
(便条 1)
128 一个
V
GSS
门-源 电压
±
20 V
E
作
单独的 搏动 avalanche 活力
(便条 2)
350 mJ
I
AR
avalanche 电流
(便条 1)
32 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
(便条 1)
7.9 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
(便条 3)
7.0 v/ns
P
D
电源 消耗 (t
一个
= 25°c) *
3.75 W
电源 消耗 (t
C
= 25°c)
79 W
- 减额 在之上 25°c 0.53 w/°c
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 +175 °C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8
"
从 情况 为 5 秒
300 °C
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 1.90 °C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 * -- 40 °C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 -- 62.5 °C
/
W
* 当 挂载 在 这 最小 垫子 大小 推荐 (pcb 挂载)
S
D
G
D
2
-pak
fqb 序列
I
2
-pak
fqi 序列
G
S
D
G
S
D
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