rev. 一个, march 2001©2001 仙童 半导体 公司
fqb13n50 / fqi13n50
V
在
V
DS
10%
90%
t
d(在)
t
r
t
在
t
止
t
d(止)
t
f
V
在
V
DS
10%
90%
t
d(在)
t
r
t
在
t
止
t
d(止)
t
f
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
一样 类型
作 dut
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
一样 类型
作 dut
门 承担 测试 电路 &放大; 波形
E
作
=L
L
I
作
2
----
2
1
--------------------
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
E
作
=L
L
I
作
2
----
2
1
E
作
=L
L
I
作
2
----
2
1
----
2
1
--------------------
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
作
V
DS
(t)
I
D
(t)
时间
BV
DSS
t
p
V
DD
I
作
V
DS
(t)
I
D
(t)
时间
resistive 切换 测试 电路 &放大; 波形
unclamped inductive 切换 测试 电路 &放大; 波形
V
DD
V
DS
10V
DUT
R
G
L
I
D
V
DD
V
DS
10V
DUT
R
G
LL
I
D
I
D
承担
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
承担
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
( 0.5 评估 v
DS
)
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
DD
( 0.5 评估 v
DS
)
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G