©2000 仙童 半导体 国际的
fqd2n60 / fqu2n60
rev. 一个, april 2000
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
10
-1
10
0
25
150
注释 :
1. v
GS
= 0v
2. 250
s 脉冲波 测试
I
DR
, 反转 drain 电流[A]
V
SD
, 源-drain 电压 [v]
246810
10
-1
10
0
注释 :
1. v
DS
= 50v
2. 250
s 脉冲波 测试
-55
150
25
I
D
, 流 电流 [a]
V
GS
, 门-源 电压 [v]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
V
GS
顶 : 15.0 v
10.0 v
8.0 v
7.0 v
6.5 v
6.0 v
bottom : 5.5 v
注释 :
1. 250
s 脉冲波 测试
2. t
C
= 25
I
D
, 流 电流 [a]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
0246810
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 300v
V
DS
= 120v
V
DS
= 480v
便条 : i
D
= 2.4a
V
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
C
iss
= c
gs
+ c
gd
(c
ds
= 短接)
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
rss
= c
gd
注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
oss
C
iss
电容 [pf]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
0123456
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
= 20v
V
GS
= 10v
便条 : t
J
= 25
R
ds(在)
[
],
流-源 在-阻抗
I
D
, 流 电流 [a]
典型 特性
图示 5. 电容 特性 图示 6. 门 承担 特性
图示 3. 在-阻抗 变化 vs.
流 电流 和 门 电压
图示 4. 身体 二极管 向前 电压
变化 vs. 源 电流
和 温度
图示 2. 转移 特性图示 1. 在-区域 特性
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