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资料编号:331943
 
资料名称:FQI11P06
 
文件大小: 660.81K
   
说明
 
介绍:
60V P-Channel MOSFET
 
 


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fqb11p06 / fqi11p06
©2001 仙童 半导体 公司 rev. a4. 将 2001
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
10
-1
10
0
10
1
175
注释 :
1. v
GS
= 0v
2. 250
μ
s 脉冲波 测试
25
-i
DR
, 反转 流 电流 [a]
-v
SD
, 源-流 电压 [v]
0 1020304050
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
便条 : t
J
= 25
V
GS
= - 20v
V
GS
= - 10v
R
ds(在)
[
],
流-源 在-阻抗
-i
D
, 流 电流 [a]
246810
10
-1
10
0
10
1
175
25
-55
注释 :
1. v
DS
= -30v
2. 250
μ
s 脉冲波 测试
-i
D
, 流 电流 [a]
-v
GS
, 门-源 电压 [v]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
顶 : - 15.0 v
- 10.0 v
- 8.0 v
- 7.0 v
- 6.0 v
- 5.5 v
- 5.0 v
bottom : - 4.5 v
注释 :
1. 250
μ
s 脉冲波 测试
2. t
C
= 25
-i
D
, 流 电流 [a]
-v
DS
, 流-源 电压 [v]
0 2 4 6 8 10 12 14
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -30v
V
DS
= -48v
便条 : i
D
= -11.4 一个
-v
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
1000
1200
C
iss
= c
gs
+ c
gd
(c
ds
= 短接)
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
rss
= c
gd
注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
oss
C
iss
电容 [pf]
-v
DS
, 流-源 电压 [v]
典型 特性
图示 5. 电容 特性 图示 6. 门 承担 特性
图示 3. 在-阻抗 变化 vs.
流 电流 和 门 电压
图示 4. 身体 二极管 向前 电压
变化 vs. 源 电流
和 温度
图示 2. 转移 特性图示 1. 在-区域 特性
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