©2000 仙童 半导体 国际的
FQP33N10
rev. 一个, april 2000
0 5 10 15 20 25 30 35 40
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 50v
V
DS
= 80v
不 e : i
D
= 33a
V
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= c
gs
+ c
gd
(c
ds
= 短接)
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
rss
= c
gd
注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
oss
C
iss
Capacitance [pF]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
10
0
10
1
10
2
175
注释 :
1. v
GS
= 0v
2. 250
s 脉冲波 测试
25
I
DR
, 反转 drain current[A]
V
SD
, 源-drain voltage [v]
0 20406080100120
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
V
GS
= 20v
V
GS
= 10v
便条 : t
J
= 25
R
ds(在)
[
],
流-源 在-阻抗
I
D
, 流 电流 [a]
246810
10
0
10
1
10
2
175
25
-55
注释 :
1. v
DS
= 40v
2. 250
s 脉冲波 测试
I
D
, 流 电流 [a]
V
GS
, 门-源 电压 [v]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
顶 : 15.0 v
10.0 v
8.0 v
7.0 v
6.0 v
5.5 v
5.0 v
bottom : 4.5 v
注释 :
1. 250
s 脉冲波 测试
2. t
C
= 25
I
D
, drain 电流[A]
V
DS
, drain-源 电压 [v]
典型 特性
图示 5. 电容 特性 图示 6. 门 承担 特性
图示 3. 在-阻抗 变化 vs.
流 电流 和 门 电压
图示 4. 身体 二极管 向前 电压
变化 vs. 源 电流
和 温度
图示 2. 转移 特性图示 1. 在-区域 特性