©2002 仙童 半导体 公司
FQP8P10
rev. b, 8月 2002
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
10
-1
10
0
10
1
175
℃
※
注释 :
1. v
GS
= 0v
2. 250
μ
s 脉冲波 测试
25
℃
-i
DR
, 反转 流 电流 [a]
-v
SD
, 源-流 电压 [v]
0 5 10 15 20 25
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
※
便条 : t
J
= 25
℃
V
GS
= - 20v
V
GS
= - 10v
R
ds(在)
[
Ω
],
流-源 在-阻抗
-i
D
, 流 电流 [a]
2
46810
10
-1
10
0
10
1
175
℃
25
℃
-55
℃
※
注释 :
1. v
DS
= -40v
2. 250
μ
s 脉冲波 测试
-i
D
, 流 电流 [a]
-v
GS
, 门-源 电压 [v]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
GS
顶 : -15.0 v
-10.0 v
-8.0 v
-7.0 v
-6.5 v
-5.5 v
-5.0 v
bottom : -4.5 v
※
注释 :
1. 250
μ
s 脉冲波 测试
2. t
C
= 25
℃
-i
D
, 流 电流 [a]
-v
DS
, 流-源 电压 [v]
0 2 4 6 8 10 12 14
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -50v
V
DS
= -20v
V
DS
= -80v
※
便条 : i
D
= -8.0 一个
-v
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
C
iss
= c
gs
+ c
gd
(c
ds
= 短接)
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
rss
= c
gd
※
注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
oss
C
iss
电容 [pf]
-v
DS
, 流-源 电压 [v]
典型 特性
图示 5. 电容 特性 图示 6. 门 承担 特性
图示 3. 在-阻抗 变化 vs.
流 电流 和 门 电压
图示 4. 身体 二极管 向前 电压
变化 vs. 源 电流
和 温度
图示 2. 转移 特性图示 1. 在-区域 特性