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资料编号:333472
 
资料名称:IRFR9220
 
文件大小: 169K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A)
 
 


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4-92
图示 6. unclamped inductive 切换 图示 7. 饱和 特性
图示 8. 转移 特性 图示 9. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
图示 10. normalized 门 门槛 电压 vs
温度
图示 11. NORMALIZED 损坏
电压 vs 温度
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
-10
-1
0.01 0.1 1
10
t
AV
, 时间 在 avalanche (ms)
I
, avalanche 电流 (一个)
开始 t
J
= 150
o
C
开始 t
J
= 25
o
C
如果 r = 0
t
AV
= (l) (i
) / (1.3 评估 bv
DSS
- v
DD
)
如果 r
0
t
AV
= (l/r) ln [(i
*r) / (1.3 评估 bv
DSS
- v
DD
) + 1]
0
0
-1.5 -3.0 -4.5 -6.0 -7.5
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= -5v
V
GS
= -6v
V
GS
= -8v
V
GS
= -7v
V
GS
= -10v
-1
-2
-3
-4
V
GS
= -4.5v
-5
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
V
GS
= -20v
职责 循环 = 0.5% 最大值
T
C
= 25
o
C
0 -1-2-3-4-5
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
ds(在)
, 流 至 源 电流 (一个)
0
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
-55
o
C
150
o
C
25
o
C
-2
-4
-8
-6
-6 -7
V
DD
= -15v
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80 -40 0 40 80 120 160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
2.5
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
V
GS
= -10v
I
D
= -2.2a
在 阻抗
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80 -40 0 40 80 160120
门槛 电压
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 门
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80 -40 0 40 80 120 160
normalized 流 至 源
损坏 电压
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
I
D
= 250
µ
一个
irfr9220, irfu9220
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