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资料编号:334605
 
资料名称:IRFS9630
 
文件大小: 260.4K
   
说明
 
介绍:
Advanced Power MOSFET
 
 


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p-频道
电源 场效应晶体管
图 1. 输出 特性 图 2. 转移 特性
图 6. 门 承担 vs. 门-源 电压图 5. 电容 vs. 流-源 电压
图 4. 源-流 二极管 向前 电压图 3. 在-阻抗 vs. 流 电流
SFS9630
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ 注释 :
1. 250
µ
s 脉冲波 测试
2. t
C
= 25
o
C
V
GS
顶 : - 15 v
-10 v
- 8.0 v
- 7.0 v
- 6.0 v
- 5.5 v
- 5.0 v
bottom : - 4.5 v
-i
D
, 流 电流 [a]
-v
DS
, 流-源 电压 [v]
2 4 6 8 10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ 注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. v
DS
= -40 v
3. 250
µ
s 脉冲波 测试
-i
D
, 流 电流 [a]
-v
GS
, 门-源 电压 [v]
0 4 8 12 16 20 24
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
@ 便条 : t
J
= 25
o
C
V
GS
= -20 v
V
GS
= -10 v
R
ds(在)
, [
]
流-源 在-阻抗
-i
D
, 流 电流 [a]
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ 注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. 250
µ
s 脉冲波 测试
-i
DR
, 反转 流 电流 [a]
-v
SD
, 源-流 电压 [v]
0 5 10 15 20 25 30
0
5
10
V
DS
= -160 v
V
DS
= -100 v
V
DS
= -40 v
@ 注释 : i
D
=-6.5 一个
-v
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
10
0
10
1
0
500
1000
1500
C
iss
= c
gs
+ c
gd
( C
ds
= 短接 )
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
rss
= c
gd
@ 注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
oss
C
iss
电容 [pf]
-v
DS
, 流-源 电压 [v]
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