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资料编号:334701
 
资料名称:FSB50450
 
文件大小: 340.72K
   
说明
 
介绍:
Smart Power Module (SPM)
 
 


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www.fairchildsemi.com
fsb50450 rev. b
FSB50450SmartPowerModule(spm)
电的 特性
(t
J
= 25°c, v
CC
=V
BS
=15v 除非 否则 指定)
反相器 部分
(各自 frfet 除非 否则 指定)
控制 部分
(各自 hvic 除非 否则 指定)
便条:
1. 为 这 度量 要点 的 情况 温度 t
C
, 请 谈及 至 图示 3 在 页 4.
2. BV
DSS
是 这 绝对 最大 电压 比率 在 流 和 源 终端 的 各自 frfet inside spm. v
PN
应当 是 sufficiently 较少 比 这个 值 considering 这
效应 的 这 偏离 电感 所以 那 v
DS
应当 不 超过 bv
DSS
在 任何 情况.
3. t
和 t
包含 这 传播 延迟 时间 的 这 内部的 驱动 ic. 列表 值 是 量过的 在 这 laboratory 测试 情况, 和它们 能 是 不同的 符合 至 这
地方 applcations 预定的 至 这 效应 的 不同的 打印 电路 boards 和 wirings. 请 看 图示 4 为 这 切换 时间定义 和 这 切换 测试 电路 的 图示 5.
4. 这 顶峰 电流 和 电压 的 各自 frfet 在 这 切换 运作 应当 是 包含 在 这 safe 运行 范围 (soa). 请 看 图示 5 为 这 rbsoa 测试 cir-
cuit 那 是 一样 作 这 切换 测试 电路.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
= 0v, i
D
= 250
µ
一个 (便条 2) 500 - - V
BV
DSS
/
T
J
损坏 电压 tem-
perature 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25°c - 0.53 - v/°c
I
DSS
零 门 电压
流 电流
V
= 0v, v
DS
= 500v - - 250
µ
一个
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
CC
= v
BS
= 15v, v
= 5v, i
D
= 1.0a - 1.9 2.4
V
SD
流-源 二极管
向前 电压
V
CC
= v
BS
= 15v, v
= 0v, i
D
= -1.0a - - 1.2 V
t
切换 时间
V
PN
= 300v, v
CC
= v
BS
= 15v, i
D
= 1.0a
V
= 0v
5v, r
EH
= 0
inductive 加载 l=3mh
高- 和 低-一侧 frfet 切换
(便条 3)
- 1152 - ns
t
- 600 - ns
t
rr
- 185 - ns
E
-85-
µ
J
E
-11-
µ
J
RBSOA
反转-偏差 safe oper-
ating 范围
V
PN
= 400v, v
CC
= v
BS
= 15v, i
D
= i
DP
, r
EH
= 0
V
DS
=BV
DSS
, t
J
= 125°c
高- 和 低-一侧 frfet 切换 (便条 4)
全部 正方形的
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
QCC
安静的 v
CC
电流 V
CC
=15v, v
=0V 应用 在 v
CC
和 com - - 160
µ
一个
I
QBS
安静的 v
BS
电流 V
BS
=15v, v
=0V 应用 在 v
B
和 v
S
- - 100
µ
一个
UV
CCD
低-一侧 欠压
保护 (图示 6)
V
CC
欠压 保护 发现 水平的 7.4 8.0 9.4 V
UV
CCR
V
CC
欠压 保护 重置 水平的 8.0 8.9 9.8 V
UV
BSD
高-一侧 欠压
保护 (图示 7)
V
BS
欠压 保护 发现 水平的 7.4 8.0 9.4 V
UV
BSR
V
BS
欠压 保护 重置 水平的 8.0 8.9 9.8 V
V
IH
在 门槛 电压 逻辑 高 水平的
应用 在 在 和 com
3.0 - - V
V
IL
止 门槛 电压 逻辑 低 水平的 - - 0.8 V
I
IH
输入 偏差 电流
V
= 5v
应用 在 在 和 com
-1020
µ
一个
I
IL
V
= 0v - - 2
µ
一个
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