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版本 1.2
july 1999
FSX017WF
一般 目的 gaas 场效应晶体管
Item
流-源 电压
门-源 电压
总的 电源 消耗
存储 温度
频道 温度
标识
V
DS
V
GS
12
-5
1.0
-65 至 +175
175
T
c
= 25
°
C
V
V
W
°
C
°
C
P
tot
T
stg
T
ch
情况 单位
比率
绝对 最大 比率 (包围的 温度 ta=25
°
c)
fujitsu 推荐 这 下列的 情况 为 这 可依靠的 运作 的 gaas fets:
1. 这 流 - 源 运行 电压 (v
DS
) 应当 不 超过 8 伏特.
2. 这 向前 和 反转 门 电流 应当 不 超过 0.7 和 -0.1 毫安 各自 和
门 阻抗 的 2000
Ω
.
3. 这 运行 频道 温度 (t
ch
) 应当 不 超过 145
°
c.
Item
saturated 流 电流
跨导
pinch-止 电压
门 源 损坏 电压
噪音 图示
有关联的 增益
标识
I
DSS
35 55 75
-50
-
-0.7
-
-1.2 -1.7
2.5 -
-5.0
--
- 10.5
-
V
DS
= 3v, i
DS
= 2.7ma
V
DS
= 3v, i
DS
= 10ma
f = 8ghz
f = 4ghz
f = 8ghz
f = 12ghz
f = 4ghz
f = 8ghz
f = 12ghz
V
DS
= 8v,
I
DS
= 0.7i
DSS
V
DS
= 8v,
I
DS
= 0.7i
DSS
频道 至 情况
g.c.p.: 增益 压缩 要点
V
DS
= 3v, i
DS
= 27ma
V
DS
= 3v, v
GS
= 0v
I
GS
= -2.7
µ
一个
毫安
mS
V
dB
- 21.5
-
dBm
20.5 21.5
-
dBm
- 20.5
-
dBm
- 15.0
-
dB
10.0 11.0
-
dB
- 7.5
-
dB
- 120 150
°
c/w
dB
V
g
m
V
p
V
GSO
NF
G
作
输出 电源 在 1 db g.c.p.
P
1dB
电源 增益 在 1 db g.c.p.
G
1dB
热的 阻抗
R
th
测试 情况 单位
限制
典型值
最大值.最小值.
电的 特性 (包围的 温度 ta=25
°
c)
情况 样式: wf
描述
这 fsx017wf 是 一个 一般 目的 gaas 场效应晶体管 设计 为 中等
电源 产品 向上 至 这 12ghz. 这些 设备 有 一个 宽
动态 范围 和 是 合适的 为 使用 在 中等 电源, 宽 带宽,
直线的 驱动 放大器 或者 oscillators.
fujitsu’s stringent 质量 assurance 程序 assures 这 最高的
可靠性 和 consistent 效能.
特性
• 中等 电源 输出: p
1dB
=21.5db (典型值.)@8.0ghz
• 高 电源 增益: g
1dB
=11db (典型值.)@8.0ghz
• 密封的 metal/陶瓷的 包装
• proven 可靠性
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