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资料编号:336620
 
资料名称:IRFU110
 
文件大小: 60.03K
   
说明
 
介绍:
4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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4-373
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
持续的 源 至 流 电流 I
SD
修改 场效应晶体管
标识 表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管
- - 4.7 一个
脉冲波 源 至 流 电流 (便条 2) I
SDM
- - 17 一个
源 至 流 二极管 电压 (便条 4) V
SD
T
J
= 25
o
c, i
SD
= 4.7a, v
GS
= 0v (图示 13) - - 2.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
T
J
= 25
o
c, i
SD
= 5.6a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s 46 96 200 ns
反转 恢复 承担 Q
RR
T
J
= 25
o
c, i
SD
= 5.6a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s 0.17 0.38 0.83
µ
C
注释:
2. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度. 看 瞬时 热的 阻抗 曲线 (图示 3).
3. V
DD
= 25v, 开始 t
J
= 25
o
c, l = 1.3mh, r
G
= 25
, 顶峰 i
= 4.7a.
4. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
G
D
S
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. NORMALIZED 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 持续的 电流 vs
情况 温度
图示 3. 最大 瞬时 热的 阻抗
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
25 50 75 100 125 150 175
0
电源 消耗 乘法器
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25 50 75 100 125 175
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
D
, 流 电流 (一个)
150
1
2
3
4
5
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1
0.01
10
0.1
1
10
-4
10
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JC
+ t
C
P
DM
t
1
t
2
单独的 脉冲波
Z
θ
JC
, 瞬时
热的 阻抗
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
irfr110, irfu110
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