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资料编号:337253
 
资料名称:TC58FVT641FT-70
 
文件大小: 603.52K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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tc58fvt641/b641ft/xb-70,-10
2002-10-24 7/53
id 读 模式
id 读 模式 是 使用 至 读 这 设备 maker 代号 和 设备 代号. 这 模式 是 有用的 在 那 它 准许
非易失存储器 programmers 至 identify 这 设备 类型 automatically.
id 读 能 是 executed 在 二 方法, 作 跟随:
(1) 应用 v
ID
至 a9
这个 方法 是 使用 mainly 用 非易失存储器 programmers. 应用 v
ID
至 a9 sets 这 设备 至 id 读
模式, outputting 这 maker 代号 从 地址 00h 和 这 设备 代号 从 地址 01h. releasing v
ID
从 a9 returns 这 设备 至 读 模式. 和 这个 方法 所有 banks 是 设置 至 id 读 模式; 因此,
同时发生的 运作 不能 是 执行.
(2) 输入 command sequence
和 这个 方法 同时发生的 运作 能 是 执行. inputting 一个 id 读 command sets 这
指定 bank 至 id 读 模式. banks 是 指定 用 inputting 这 bank 地址 (bk) 在 这 第三 总线
写 循环 的 这 command 循环. 至 读 一个 id 代号, 这 bank 地址 作 好 作 这 id 读 地址 必须
是 指定. 这 maker 代号 是 输出 从 地址 bk
+
00; 这 设备 代号 是 输出 从 地址 bk
+
01. 从 其它 banks 数据 是 输出 从 这 记忆 cells. inputting 一个 重置 command releases id 读
模式 和 returns 这 设备 至 读 模式.
进入 时间 在 id 读 模式 是 这 一样 作 那 在 读 模式. 为 一个 列表 的 这 代号, 请 谈及 至 这
id 代号 表格.
备用物品 模式
那里 是 二 方法 至 放 这 设备 在 备用物品 模式.
(1) 控制 使用
CE 重置
和 这 设备 在 读 模式, 输入 v
DD
±
0.3 v 至 CE 重置 . 这 设备 将 enter 备用物品
模式 和 这 电流 将 是 减少 至 这 备用物品 电流 (i
DDS1
). 不管怎样, 如果 这 设备 是 在 这
处理 的 performing 同时发生的 运作, 这 设备 将 不 enter 备用物品 模式 但是 将 instead
导致 这 运行 电流 至 流动.
(2) 控制 使用
重置 仅有的
和 这 设备 在 读 模式, 输入 v
SS
±
0.3 v 至 重置 . 这 设备 将 enter 备用物品 模式 和 这
电流 将 是 减少 至 这 备用物品 电流 (i
DDS1
). 甚至 如果 这 设备 是 在 这 处理 的 performing
同时发生的 运作, 这个 方法 将 terminate 这 电流 运作 和 设置 这 设备 至 备用物品
模式. 这个 是 一个 硬件 重置 和 是 描述 后来的.
在 备用物品 模式 dq 是 放 在 高-阻抗 状态.
自动-睡眠 模式
这个 函数 抑制 电源 消耗 在 读. 如果 这 地址 输入 做 不 改变 为 150 ns,
这 设备 将 automatically enter 睡眠 模式 和 这 电流 将 是 减少 至 这 备用物品 电流 (i
DDS2
).
不管怎样, 如果 这 设备 是 在 这 处理 的 performing 同时发生的 运作, 这 设备 将 不 enter 备用物品
模式 但是 将 instead 导致 这 运行 电流 至 流动. 因为 这 输出 数据 是 latched, 数据 是 输出 在
睡眠 模式. 当 这 地址 是 changed, 睡眠 模式 是 automatically released, 和 数据 从 这 新
地址 是 输出.
输出 使不能运转 模式
inputting v
IH
OE 使不能运转 输出 从 这 设备 和 sets dq 至 高-阻抗.
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