FX20KMJ-2_集成电路资料查询网

初步的
注意: 这个 是 不 一个 最终 规格.
一些 参数 限制 是 主题 至 改变.
jan.1999
V
(br) dss
I
GSS
I
DSS
V
gs (th)
r
ds (在)
r
ds (在)
V
ds (在)

y
fs

C
iss
C
oss
C
rss
t
d (在)
t
r
t
d (止)
t
f
V
SD
R
th (ch-c)
t
rr
V
µ
一个
毫安
V
Ω
Ω
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
°c/w
ns
–100
—
—
–1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
0.20
0.25
–2.0
10.3
2360
198
99
13
30
139
74
–1.0
—
100
—
±0.1
–0.1
–2.0
0.26
0.32
–2.6
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
5.00
—
电的 特性
(tch = 25°c)
流-源 损坏 电压
门-源 泄漏 电流
流-源 泄漏 电流
门-源 门槛 电压
流-源 在-状态 阻抗
流-源 在-状态 阻抗
流-源 在-状态 电压
向前 转移 admittance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
源-流 电压
热的 阻抗
反转 恢复 时间
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
效能 曲线
I
D
= –1ma, v
GS
= 0v
V
GS
= ±20v, v
DS
= 0v
V
DS
= –100v, v
GS
= 0v
I
D
= –1ma, v
DS
= –10v
I
D
= –10a, v
GS
= –10v
I
D
= –10a, v
GS
= –4v
I
D
= –10a, v
GS
= –10v
I
D
= –10a, v
DS
= –10v
V
DS
= –10v, v
GS
= 0v, f = 1mhz
V
DD
= –50v, i
D
= –10a, v
GS
= –10v, r
GEN
= r
GS
= 50
Ω
I
S
= –10a, v
GS
= 0v
频道 至 情况
I
S
= –20a, dis/dt = 100a/
µ
s
0
10
20
30
40
50
0 20050 100 150
0
–10
–
20
–
30
–
40
–
50
0
–
10
–
20
–
30
–
40
–
50
P
D
= 25w
V
GS
=
–10V
tc = 25°c
脉冲波 测试
–6V
–4V
–3V
–5V
–8V
0
–
4
–8
–12
–16
–20
0 –4 –8 –12 –16 –20
–4V
–3V
tc = 25°c
脉冲波 测试
–10
0
–2
–3
–5
–7
–10
0
–2
–10
1
–3 –5–7 –2
–10
2
–3 –5–7
–2
–3
–10
1
–2
–3
–5
–7
–10
2
–7
–2
–5
–2 –3 –5–7 –2
tw =
T
C
= 25°c
单独的 脉冲波
100
µ
s
10ms
1ms
直流
10
µ
s
–5V
–6V
–10V
V
GS
=
P
D
= 25w
电源 消耗 减额 曲线
情况 温度   t
C
(°c)
电源 消耗   p
D
(w)
最大 safe 运行 范围
流-源 电压   v
DS
(v)
流 电流   i
D
(一个)
输出 特性
(典型)
流 电流   i
D
(一个)
流-源 电压   v
DS
(v)
输出 特性
(典型)
流 电流   i
D
(一个)
流-源 电压   v
DS
(v)
mitsubishi pch 电源 场效应晶体管
fx20kmj-2
高-速 切换 使用

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初步的注意: 这个是不一个最终规格. 一些参数限制是主题至改变. jan.1999 V (br) dss I GSS I DSS V gs (th) r ds (在) r ds (在) V ds (在)  y fs  C iss C oss C rss t d (在) t r t d (止) t f V SD R th (ch-c) t rr V µ 一个毫安 V Ω Ω V S pF pF pF ns ns ns ns V °c/w ns –100 — — –1.0 — — — — — — — — — — — — — — — — — –1.5 0.20 0.25 –2.0 10.3 2360 198 99 13 30 139 74 –1.0 — 100 — ±0.1 –0.1 –2.0 0.26 0.32 –2.6 — — — — — — — — –1.5 5.00 — 电的特性 (tch = 25°c) 流-源损坏电压门-源泄漏电流流-源泄漏电流门-源门槛电压流-源在-状态阻抗流-源在-状态阻抗流-源在-状态电压向前转移 admittance 输入电容输出电容反转转移电容转变-在延迟时间上升时间转变-止延迟时间下降时间源-流电压热的阻抗反转恢复时间标识单位参数测试情况限制最小值典型值最大值效能曲线 I D = –1ma, v GS = 0v V GS = ±20v, v DS = 0v V DS = –100v, v GS = 0v I D = –1ma, v DS = –10v I D = –10a, v GS = –10v I D = –10a, v GS = –4v I D = –10a, v GS = –10v I D = –10a, v DS = –10v V DS = –10v, v GS = 0v, f = 1mhz V DD = –50v, i D = –10a, v GS = –10v, r GEN = r GS = 50 Ω I S = –10a, v GS = 0v 频道至情况 I S = –20a, dis/dt = 100a/ µ s 0 10 20 30 40 50 0 20050 100 150 0 –10 – 20 – 30 – 40 – 50 0 – 10 – 20 – 30 – 40 – 50 P D = 25w V GS = –10V tc = 25°c 脉冲波测试 –6V –4V –3V –5V –8V 0 – 4 –8 –12 –16 –20 0 –4 –8 –12 –16 –20 –4V –3V tc = 25°c 脉冲波测试 –10 0 –2 –3 –5 –7 –10 0 –2 –10 1 –3 –5–7 –2 –10 2 –3 –5–7 –2 –3 –10 1 –2 –3 –5 –7 –10 2 –7 –2 –5 –2 –3 –5–7 –2 tw = T C = 25°c 单独的脉冲波 100 µ s 10ms 1ms 直流 10 µ s –5V –6V –10V V GS = P D = 25w 电源消耗减额曲线情况温度 t C (°c) 电源消耗 p D (w) 最大 safe 运行范围流-源电压 v DS (v) 流电流 i D (一个) 输出特性 (典型) 流电流 i D (一个) 流-源电压 v DS (v) 输出特性 (典型) 流电流 i D (一个) 流-源电压 v DS (v) mitsubishi pch 电源场效应晶体管 fx20kmj-2 高-速切换使用

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