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资料编号:338979
 
资料名称:IRFZ34N
 
文件大小: 195.35K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFZ34N
图 10a.
切换 时间 测试 电路
V
DS
10 v
脉冲波 宽度
≤ 1
µs
职责 因素
≤ 0.1 %
图 9.
最大 流 电流 vs.
情况 温度
图 10b.
切换 时间 波形
R
D
V
GS
V
DD
R
G
d.u.t.
图 11.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-情况
0
5
10
15
20
25
30
25 50 75 100 125 150 175
C
i , 流 电流 (放大器)
D
T,C一个seTemper一个ture(°C)
一个
0.01
0.1
1
10
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
t,Rectangul一个rPulseDur一个ti(sec)
1
thJC
D=0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLEPULSE
(THERM一个LRESPONSE)
一个
热的 response (z )
P
t
2
1
t
D M
N otes :
1 .D uty f一个c torD = t/t
2.P e一个 kT = P xZ + T
1 2
J
D M
thJ C
C
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