飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 IRFZ48N
TrenchMOS
TM
晶体管
静态的 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= 0.25 毫安; 55 - - V
电压 T
j
= -55˚c 50 - - V
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 1 毫安 2 3.0 4.0 V
T
j
= 175˚c 1 - - V
T
j
= -55˚c - - 4.4 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 55 v; v
GS
= 0 v; - 0.05 10
µ
一个
T
j
= 175˚c - - 500
µ
一个
I
GSS
门 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
10 v; v
DS
= 0 v - 0.02 1
µ
一个
T
j
= 175˚c - - 20
µ
一个
±
V
(br)gss
门-源 损坏 I
G
=
±
1 毫安; 16 - - V
电压
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
GS
= 10 v; i
D
= 25 一个 - 12 16 m
Ω
阻抗 T
j
= 175˚c - - 30 m
Ω
动态 特性
T
mb
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 25 v; i
D
= 25 一个 8 39 - S
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz - 2200 2900 pF
C
oss
输出 电容 - 500 600 pF
C
rss
反馈 电容 - 200 270 pF
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 50 一个; v
DD
= 44 v; v
GS
= 10 v - - 85 nC
Q
gs
门-源 承担 - - 19 nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - - 37 nC
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 30 v; i
D
= 25 一个; - 18 26 ns
t
r
转变-在 上升 时间 V
GS
= 10 v; r
G
= 10
Ω
- 3585ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 resistive 加载 - 45 60 ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 30 45 ns
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 联系 screw 在 - 3.5 - nH
tab 至 centre 的 消逝
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 流 含铅的 6 mm - 4.5 - nH
从 包装 至 centre 的 消逝
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 6 mm - 7.5 - nH
从 包装 至 源 bond 垫子
二月 1999 2 rev 1.000
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