首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:339176
 
资料名称:FZT949
 
文件大小: 216.5K
   
说明
 
介绍:
PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
 
 


: 点此下载
  浏览型号FZT949的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号FZT949的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号FZT949的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号FZT949的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FZT948
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基 损坏
电压
V
(br)cbo
-40 -55 V
I
C
=-100
µ
一个
集电级-发射级
损坏 电压
V
(br)cer
-40 -55 V
I
C
=-1
µ
一个, rb
1k
集电级-发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
-20 -30 V I
C
=-10ma*
发射级-根基 损坏
电压
V
(br)ebo
-6 -8 V
I
E
=-100
µ
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
-50
-1
nA
µ
一个
V
CB
=-30v
V
CB
=-30v,
T
amb
=100°C
集电级 截-止 电流 I
CER
R
1k
-50
-1
nA
µ
一个
V
CB
=-30v
V
CB
=-30v,
T
amb
=100°C
发射级 截-止 电流 I
EBO
-10 nA V
EB
=-6v
集电级-发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
-60
-110
-200
-360
-130
-180
-280
-450
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.5a, i
B
=-10ma*
I
C
=-2a, i
B
=-200ma*
I
C
=-4a, i
B
=-400ma*
I
C
=-6a, i
B
=-250ma*
根基-发射级
饱和 电压
V
是(sat)
-1050 -1200 mV I
C
=-5a, i
B
=-300ma*
根基-发射级
转变-在 电压
V
是(在)
-870 -1050 mV I
C
=-6a, v
CE
=-1v*
静态的 向前
电流 转移 比率
h
FE
100
100
75
60
15
200
200
160
130
40
300
I
C
=-10ma, v
CE
=-1v
I
C
=-1a, v
CE
=-1v*
I
C
=-5a, v
CE
=-1v*
I
C
=-10a, v
CE
=-1v*
I
C
=-20a, v
CE
=-2v*
转变 频率 f
T
80 MHz I
C
=-100ma, v
CE
=-10v
f=50MHz
输出 电容 C
obo
163 pF V
CB
=-10v, f=1mhz
切换 时间 t
t
120
126
ns
ns
I
C
=-4a, i
B1
=-400ma
I
B2
=400ma, v
CC
=-10v
*measured 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度=300
µ
s. 职责 循环
2%
额外的刺激 参数 数据 是 有 在之上 要求 为 这个 设备
R
ce(sat)
46m
在 5a
TBA
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com