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资料编号:339192
 
资料名称:FZT1151A
 
文件大小: 96.83K
   
说明
 
介绍:
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FZT1151A
100µs
脉冲波 宽度
瞬时 热的 阻抗
0
热的 阻抗 (°c/w)
d=0.2
d=0.1
d=0.05
d=0.5
单独的 脉冲波
D=t1
tP
t1
tP
1ms 10ms 100ms 1s 10s 100s
减额 曲线
最大值 电源 消耗 - (watts)
0
0
t - 包围的 温度 (°c)
d = 1
10
20
30
40
50
20 40 60 80 100 120 140 160
1
2
3
4
热的 特性
额外的刺激 参数
*zetex fzt1151a 额外的刺激 模型 last 修订 12/12/96
*
.模型 fzt1151a pnp 是 =1.7e-12 nf =1.004 ise=1.02e-13
+ ne =1.55 bf =562 vaf=26.01 ikf=3.5 nr =.97
+ isc= 1.5e-13 nc =1.3 br =38 var=2.41 ikr=0.3
+ re =25.37e-3 rb =250e-3 rc =25e-3 cje=440e-12
+ cjc=160e-12 vjc=1.058 mjc= 0.5678 tf =0.8e-9 tr =55.5e-9
*
1995 zetex plc
这 版权 在 这个 模型 和 这 设计 embodied belong 至 zetex plc (“zetex”). 它 是 有提供的
自由 的 承担 用 zetex 为 这 目的 的 research 和 设计 和 将 是 使用 或者 copied intact
(包含 这个 注意) 为 那 目的 仅有的. 所有 其它 权利 是 保留. 这 模型 是 相信
精确 但是 非 情况 或者 保用单 作 至 它的 merchantability 或者 fitness 为 目的 是 给
和 非 责任 在 遵守 的 任何 使用 是 accepted 用 zetex plc, 它的 分发 或者 agents.
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