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资料编号:339201
 
资料名称:FZT1051A
 
文件大小: 46.49K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
 
 


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电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基
损坏 电压
V
(br)cbo
150 190 V
I
C
=100
µ
一个
集电级-发射级
损坏 电压
V
CES
150 190 V
I
C
=100
µ
一个 *
集电级-发射级
损坏 电压
V
CEO
40 60 V I
C
=10mA
集电级-发射级
损坏 电压
V
CEV
150 190 V
I
C
=100
µ
一个, v
EB
=1V
发射级-根基 损坏
电压
V
(br)ebo
59 V
I
E
=100
µ
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
0.3 10 nA V
CB
=120V
发射级 截-止 电流 I
EBO
0.3 10 nA V
EB
=4V
集电级 发射级 截-止
电流
I
CES
0.3 10 nA V
CES
=120V
集电级-发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
17
85
140
250
25
120
180
340
mV
mV
mV
mV
I
C
=0.2a, i
B
=10mA*
I
C
=1a, i
B
=10mA*
I
C
=2a, i
B
= 20ma*
I
C
=5a, i
B
=100mA*
根基-发射级
饱和 电压
V
是(sat)
980 1100 mV I
C
=5a, i
B
=100mA*
根基-发射级 转变-在
电压
V
是(在)
915 1000 mV I
C
=5a, v
CE
=2V*
静态的 向前 电流
转移 比率
h
FE
290
270
130
40
440
450
220
55
1200
I
C
=10ma, v
CE
=2V*
I
C
=1a, v
CE
=2V*
I
C
=5a, v
CE
=2V*
I
C
=10a, v
CE
=2V*
转变 频率 f
T
155 MHz I
C
=50ma, v
CE
=10V
f=100MHz
输出 电容 C
obo
27 40 pF V
CB
=10v, f=1mhz
转变-在 时间 t
220 ns I
C
=3a, i
B
=30ma, v
CC
=10V
转变-止 时间 t
540 ns
*measured 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度=300
µ
s. 职责 循环
2%
FZT1051A
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