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资料编号:342261
 
资料名称:IRG4PF50W
 
文件大小: 138.73K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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IRG4PF50W
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) ––– 160 240 I
C
= 28a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在) ––– 19 29 nC V
CC
= 400v 看 图. 8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) ––– 53 80 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 29 –––
t
r
上升 时间 ––– 26 ––– T
J
= 25°c
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 110 170 I
C
= 28a, v
CC
= 720v
t
f
下降 时间 ––– 150 220 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
E
转变-在 切换 丧失 ––– 0.19 ––– 活力 losses 包含 "tail"
E
转变-止 切换 丧失 ––– 1.06 ––– mJ 看 图. 10, 11, 13, 14
E
ts
总的 切换 丧失 ––– 1.25 1.7
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 28 ––– T
J
= 150°c,
t
r
上升 时间 ––– 26 ––– I
C
= 28a, v
CC
= 720v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 280 ––– V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
t
f
下降 时间 ––– 90 ––– 活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失 ––– 3.45 ––– mJ 看 图. 13, 14
L
E
内部的 发射级 电感 ––– 13 ––– nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容 ––– 3300 ––– V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 ––– 200 ––– pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容 ––– 45 ––– ƒ = 1.0mhz
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 900 ––– ––– V V
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ecs
发射级-至-集电级 损坏 电压
➃➃
➃➃
18 ––– ––– V V
GE
= 0v, i
C
= 1.0a
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压 ––– 0.295 ––– v/°c V
GE
= 0v, i
C
= 3.5ma
––– 2.25 2.7 I
C
= 28a v
GE
= 15v
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 ––– 2.74 ––– I
C
= 60a 看 图.2, 5
––– 2.12 ––– I
C
= 28a , t
J
= 150°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 ––– 6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压 ––– -13 ––– mv/°c V
CE
= v
GE
, i
C
= 1.0ma
g
fe
向前 跨导
➄➄
➄➄
26 39 ––– S V
CE
15v, i
C
= 28a
––– ––– 500 V
GE
= 0v, v
CE
= 900v
––– ––– 2.0 V
GE
= 0v, v
CE
= 10v, t
J
= 25°c
––– ––– 5.0 毫安 V
GE
= 0v, v
CE
= 900v, t
J
= 150°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ––– ––– ±100 nA V
GE
= ±20v
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
V
µA
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
ns
脉冲波 宽度
80µs; 职责 因素
0.1%.
脉冲波 宽度 5.0µs, 单独的 shot.
注释:
repetitive 比率; v
GE
= 20v, 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 13b )
V
CC
= 80%(v
CES
), v
GE
= 20v, l =10µh, r
G
= 5.0
,
(看 图. 13a)
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大
接合面 温度.
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