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资料编号:342264
 
资料名称:IRG4PF50WD
 
文件大小: 253.08K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
 
 


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IRG4PF50WD
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
900 V V
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压 0.295 v/°c V
GE
= 0v, i
C
= 3.5ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 2.25 2.7 I
C
= 28a V
GE
= 15v
2.74 V I
C
= 60a 看 图. 2, 5
2.12 I
C
= 28a, t
J
= 150°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压 -13 mv/°c V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导
26 39 S V
CE
= 50v, i
C
= 28a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流 500 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 900v
2.0 V
GE
= 0v, v
CE
= 10v, t
J
= 25°c
6.5 毫安 V
GE
= 0v, v
CE
= 900v, t
J
= 150°c
V
FM
二极管 向前 电压 漏出 2.5 3.5 V I
C
= 16a 看 图. 13
2.1 3.0 I
C
= 16a, t
J
= 150°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ±100 nA V
GE
= ±20v
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) 160 240 I
C
= 28a
Qge 门 - 发射级 承担 (转变-在) 19 29 nC V
CC
= 400v 看 图. 8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) 53 80 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 71 T
J
= 25°c
t
r
上升 时间 50 ns I
C
= 28a, v
CC
= 720v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 150 220 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
t
f
下降 时间 110 170 活力 losses 包含 "tail" 和
E
转变-在 切换 丧失 2.63 二极管 反转 恢复.
E
转变-止 切换 丧失 1.34 mJ 看 图. 9, 10, 18
E
ts
总的 切换 丧失 3.97 5.3
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 69 T
J
= 150°c, 看 图. 11, 18
t
r
上升 时间 52 ns I
C
= 28a, v
CC
= 720v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 270 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
t
f
下降 时间 190 活力 losses 包含 "tail" 和
E
ts
总的 切换 丧失 6.0 mJ 二极管 反转 恢复.
L
E
内部的 发射级 电感 13 nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容 3300 V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 200 pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容 45 ƒ = 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 90 135 ns T
J
= 25°c 看 图.
164 245 T
J
= 125°c 14 i
F
= 16a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流 5.8 10 一个 T
J
= 25°c 看 图.
8.3 15 T
J
= 125°c 15 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 260 675 nC T
J
= 25°c 看 图.
680 1838 T
J
= 125°c 16 di/dt = 200a/µs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复 120 一个/µs T
J
= 25°c 看 图.
在 t
b
—76— T
J
= 125°c 17
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
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