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资料编号:342267
 
资料名称:IRG4PH40UD2-EP
 
文件大小: 231.09K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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0 20 40 60 80 100 120
Q
g,
总的 门 承担 (nc)
0
4
8
12
16
20
V
G
E
,
G
一个
t
e
-
t
o
-
E
m
i
t
t
e
r
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
V
CE
= 400v
I
C
= 21a
0 10 20 30 40 50
R
G
, 门 阻抗 (
)
3.6
3.8
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
T
o
t
一个
l
S
w
i
c
h
i
n
g
L
o
s
s
e
s
(
m
J
)
V
CE
= 800v
V
GE
= 15v
T
J
= 25°c
I
C
= 21a
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
J
, 接合面 温度 (°c)
1
10
100
T
o
t
一个
l
S
w
i
t
c
h
i
n
g
L
o
s
s
e
s
(
m
J
)
R
G
= 10
V
GE
= 15v
V
CC
= 800v
I
C
= 42a
I
C
= 21a
I
C
= 10.5a
1 10
V
CE
,
集电级-toemitter-电压(v)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
C
一个
p
一个
c
i
t
一个
n
c
e
(
p
F
)
Cies
Coes
Cres
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
ies
= c
ge
+ c
gd
, c
ce
短接
C
res
= c
gc
C
oes
= c
ce
+ c
gc
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