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资料编号:342270
 
资料名称:IRG4PH40UD
 
文件大小: 220.5K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PH40UD
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
86 130 I
C
= 21a
Qge 门 - 发射级 承担 (转变-在)
13 20 nC V
CC
= 400v 看 图. 8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
29 44 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
46
T
J
= 25
°
C
t
r
上升 时间
35
ns I
C
= 21a, v
CC
= 800v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
97 150 V
GE
= 15v, r
G
= 10
t
f
下降 时间
240 360 活力 losses 包含 "tail" 和
E
转变-在 切换 丧失
1.80
二极管 反转 恢复.
E
转变-止 切换 丧失
1.93
mJ 看 图. 9, 10, 18
E
ts
总的 切换 丧失
3.73 4.6
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
42
T
J
= 150
°
c, 看 图. 11, 18
t
r
上升 时间
32
ns I
C
= 21a, v
CC
= 800v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
240
V
GE
= 15v, r
G
= 10
t
f
下降 时间
510
活力 losses 包含 "tail" 和
E
ts
总的 切换 丧失
7.04
mJ 二极管 反转 恢复.
L
E
内部的 发射级 电感
13
nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
1800
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
120
pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
18
—ƒ
= 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
63 95 ns T
J
= 25
°
c 看 图.
106 160 T
J
= 125
°
c 14 i
F
= 8.0a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
4.5 8.0 一个 T
J
= 25
°
c 看 图.
6.2 11 T
J
= 125
°
c 15 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
140 380 nC T
J
= 25
°
c 看 图.
335 880 T
J
= 125
°
c 16 di/dt = 200a/µs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复
133
一个/µs T
J
= 25
°
c 看 图.
在 t
b
85
T
J
= 125
°
c 17
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
1200
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
0.43
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
2.43 3.1 I
C
= 21a V
GE
= 15v
2.97
VI
C
= 41a 看 图. 2, 5
2.47
I
C
= 21a, t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0
6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
-11
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导
16 24
SV
CE
= 100v, i
C
= 21a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
——
250 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
——
5000 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 漏出
2.6 3.3 V I
C
2.4 3.1 I
C
= 8.0a, t
J
= 125
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
±100 nA V
GE
= ±20v
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
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