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资料编号:342277
 
资料名称:IRG4PH30K
 
文件大小: 161.67K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
 
 


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2/7/2000
V
CES
= 1200v
V
ce(在) 典型值
=
3.10v
@V
GE
= 15v, i
C
= 10a
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 1200 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 20
I
C
@ t
C
I
CM
搏动 集电级 电流
40
I
LM
clamped inductive 加载 电流
40
t
sc
短的 电路 承受 时间 10 µs
V
GE
门-至-发射级 电压 ±20 V
E
ARV
反转 电压 avalanche 活力
121 mJ
P
D
@ t
C
= 25
°
C 最大 电源 消耗 100 W
P
D
@ t
C
= 100
°
C 最大 电源 消耗 42
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +150
T
STG
存储 温度 范围
°
C
焊接 温度, 为 10 秒. 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况)
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf
在 (1.1n
m)
IRG4PH30K
短的 电路 评估
ultrafast igbt


参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
1.2
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24
––– °
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载
–––
40
Wt 重量 6(0.21)
–––
g (oz)
热的 阻抗
至-247ac
E
C
G
n-频道
FeaturesFeatures
FeaturesFeatures
特性
益处
高 短的 电路 比率 优化 为 发动机 控制,
t
sc
=10µs, v
CC
= 720v , t
J
= 125
°
c,
V
GE
= 15v
结合 低 传导 losses 和 高
切换 速
最新的 一代 设计 提供 tighter 参数
分发 和 高等级的 效率 比 previous
generations
作 一个 freewheeling 二极管 我们 推荐 我们的
HEXFRED
TM
ultrafast, ultrasoft 恢复 二极管 为
最小 emi / 噪音 和 切换 losses 在 这
二极管 和 igbt
最新的 一代 4 igbt's 提供 最高的 电源
密度 发动机 控制 可能
这个 部分 替代 这 irgph30k 和 irgph30m
设备
www.irf.com 1
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