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资料编号:342284
 
资料名称:IRG4PC50F
 
文件大小: 146.41K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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www.irf.com 5
图. 10
- 典型 切换 losses vs.
接合面 温度
图. 9
- 典型 切换 losses vs. 门
阻抗
图. 8
- 典型 门 承担 vs.
门-至-发射级 电压
图. 7 -
典型 电容 vs.
集电级-至-发射级 电压
0
4
8
12
16
20
0 40 80 120 160 200
GE
V, g一个te-至-em itter voltage(v)
g
Q, 至tal gateCh一个rg e(nC)
一个
v = 400v
i =39一个
CE
C
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.6
3.8
0 102030405060
总的 切换 losses (mj)
一个
v = 480v
v = 15v
t = 25
°
C
i = 39a
CC
GE
J
C
G
r , 门 阻抗
( Ω
)
0.1
1
10
100
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
总的 切换 losses (mj)
一个
t , 接合面 温度 (
°
c)
J
i = 78a
i = 39a
i = 20a
r = 5.0
v = 15v
v = 480v
C
C
C
G
GE
CC
0
2000
4000
6000
8000
1 10 100
CE
c, 电容 (pf)
v , 集电级-至-发射级 voltage (v)
一个
C
ies
C
res
C
oes
V
GE
= 0v f = 1 mhz
cies = cge + cgc + cce 短接
cres = cce
coes = cce + cgc
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