首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:342297
 
资料名称:IRG4PH30KD
 
文件大小: 212.54K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
 
 


: 点此下载
  浏览型号IRG4PH30KD的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号IRG4PH30KD的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号IRG4PH30KD的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号IRG4PH30KD的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号IRG4PH30KD的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号IRG4PH30KD的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号IRG4PH30KD的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号IRG4PH30KD的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PH30KD
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
53 80 I
C
= 10a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
9.0 14 nC V
CC
= 400v 看 图.8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
21 32 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
39
t
r
上升 时间
84
T
J
= 25
°
C
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
220 340 I
C
= 10a, v
CC
= 800v
t
f
下降 时间
90 140 V
GE
= 15v, r
G
= 23
E
转变-在 切换 丧失
0.95
活力 losses 包含 "tail"
E
转变-止 切换 丧失
1.15
mJ 和 二极管 反转 恢复
E
ts
总的 切换 丧失
2.10 2.6 看 图. 9,10,18
t
sc
短的 电路 承受 时间 10
——
µs V
CC
= 720v, t
J
= 125
°
C
V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
42
T
J
= 150
°
c, 看 图. 10,11,18
t
r
上升 时间
79
I
C
= 10a, v
CC
= 800v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
540
V
GE
= 15v, r
G
= 23
Ω,
t
f
下降 时间
97
活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失
3.5
mJ 和 二极管 反转 恢复
L
E
内部的 发射级 电感
13
nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
800
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
60
pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
14
—ƒ
= 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
50 76 ns T
J
= 25
°
c 看 图.
72 110 T
J
= 125
°
c 14 i
F
= 10a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
4.4 7.0 一个 T
J
= 25
°
c 看 图.
5.9 8.8 T
J
= 125
°
c 15 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
130 200 nC T
J
= 25
°
c 看 图.
250 380 T
J
= 125
°
c 16 di/dt = 200a/µs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复
210
一个/µs T
J
= 25
°
c 看 图.
在 t
b
180
T
J
= 125
°
c 17
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
ns
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
1200
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
0.19
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
3.10 4.2 I
C
= 10a V
GE
= 15v
3.90
VI
C
= 20a 看 图. 2, 5
3.01
I
C
= 10a, t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0
6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
-12
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导
4.3 6.5
SV
CE
= 100v, i
C
= 10a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
——
250 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v
——
3500 V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v, t
J
= 150
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 漏出
3.4 3.8 V I
C
= 10a 看 图. 13
3.3 3.7 I
C
= 10a, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
±100 nA V
GE
= ±20v
电的 特性 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com