IRG4PC50FD
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图. 7 -
典型 电容 vs.
集电级-至-发射级 电压
图. 8
- 典型 门 承担 vs.
门-至-发射级 电压
图. 9
- 典型 切换 losses vs. 门
阻抗
图. 10
- 典型 切换 losses vs.
接合面 温度
总的 switchig losses (mj)
总的 switchig losses (mj)
3.50
4.00
4.50
5.00
0 102030405060
G
一个
R, gate resistance(
Ω
)
v = 480v
V=15V
T=25
°
C
i =39一个
CC
GE
J
C
1
10
100
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
一个
t , 接合面 温度(
°
C)
J
i =20一个
i =39一个
i =78一个
R=5.0
Ω
V=15V
v = 480v
G
GE
CC
C
C
C
0
4
8
12
16
20
0 40 80 120 160 200
GE
V, g一个te-至-em itter v oltage(v)
g
Q, 至tal gateCh一个rg e(nC)
一个
v = 400v
i =39一个
CE
C
0
2000
4000
6000
8000
1 10 100
CE
c, 电容 (pf)
v , 集电级-至-发射级 voltage (v)
一个
C
ies
C
res
C
oes
V
GE
= 0v f = 1 mhz
cies = cge + cgc + cce 短接
cres = cce
coes = cce + cgc