IRG4PSC71UD
insulated 门 双极 晶体管 和
ultrafast 软 恢复 二极管
特性
E
G
n-频道
C
V
CES
= 600v
V
ce(在) 典型值
= 1.67v
@V
GE
= 15v, i
C
= 60a
ultrafast copack igbt
5/12/99
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 85
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 60
I
CM
搏动 集电级 电流
200 一个
I
LM
clamped inductive 加载 电流
200
I
F
@ t
C
= 100°c 二极管 持续的 向前 电流 60
I
FM
二极管 最大 向前 电流 350
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 350
P
D
@ t
C
= 100°c 最大 电源 消耗 140
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒. 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况)
益处
pd - 91682a
W
www.irf.com 1
• 一代 4 igbt 设计 提供 tighter
参数 分发 和 高等级的 效率
(最小 切换 和 传导 losses) 比
较早的 generations
• igbt co-packaged 和 hexfred ultrafast, ultrasoft
恢复 反对-并行的 二极管 为 使用 在 桥
配置
• 工业-benchmark 超级的-247 包装 和
高等级的 电源 处理 能力 对照的 至
一样 footprint 至-247
• creepage 距离 增加 至 5.35mm
•
一代 4 igbt's 提供 最高的 efficiencies
有
• 最大 电源 密度, 两次 这 电源
处理 的 至-247, 较少 空间 比 至-264
• igbts 优化 为 明确的 应用 情况
• hexfred 二极管 优化 为 效能 和 igbts
• 费用 和 空间 节省 在 设计 那 需要
多样的, paralleled igbts
超级的 - 247
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 - igbt ––– ––– 0.36
R
θ
JC
接合面-至-情况 - 二极管 ––– ––– 0.69 °c/w
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 ––– 0.24 –––
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载 ––– ––– 38
推荐 clip 强迫 20.0(2.0) ––– ––– n (kgf)
重量 ––– 6 (0.21) ––– g (oz)
热的 resistance\ 机械的
: 点此下载
