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资料编号:342314
 
资料名称:IRG4PSC71K
 
文件大小: 152.66K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PSC71K
www.irf.com 3
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(为 正方形的 波, i=i
RMS
的 基本的; 为 triangular 波, i=i
PK
)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
1
10
100
1000
01234
CE
v , collector-至-emitter voltage (v)
t = 150°c
t = 25°c
J
J
V=15V
20µs 脉冲波 w IDTH
GE
一个
ic , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
1
10
100
1000
5 6 7 8 9 10 11
v , 门-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
GE
C
v = 50v
5µs 脉冲波 宽度
CC
t = 150 c
J
°
t = 25 c
J
°
0
30
60
90
120
0.1 1 10 100
f, frequency (khz)
加载 current (一个)
一个
60% 的 评估
电压
Ideal diodes
正方形的 波:
为 两个都:
职责 循环: 50%
t = 125°c
t = 90°c
门 驱动 作 指定
下沉
J
triangular 波:
clamp 电压:
80% 的 评估
电源 消耗 = 58w
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