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IRG4PH50KD
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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
—
180 270 I
C
= 24a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
—
25 38 nC V
CC
= 400v 看 图.8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
—
70 110 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
87
—
t
r
上升 时间
—
100
—
T
J
= 25
°
C
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
140 300 I
C
= 24a, v
CC
= 800v
t
f
下降 时间
—
200 300 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
Ω
E
在
转变-在 切换 丧失
—
3.83
—
活力 losses 包含 "tail"
E
止
转变-止 切换 丧失
—
1.90
—
mJ 和 二极管 反转 恢复
E
ts
总的 切换 丧失
—
5.73 7.9 看 图. 9,10,18
t
sc
短的 电路 承受 时间 10
——
µs V
CC
= 720v, t
J
= 125
°
C
V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
Ω
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
67
—
T
J
= 150
°
c,        看 图. 10,11,18
t
r
上升 时间
—
72
—
I
C
= 24a, v
CC
= 800v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
310
—
V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
Ω,
t
f
下降 时间
—
390
—
活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失
—
8.36
—
mJ 和 二极管 反转 恢复
L
E
内部的 发射级 电感
—
13
—
nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
—
2800
—
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
—
140
—
pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
—
53
—ƒ
= 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
—
90 135 ns T
J
= 25
°
c    看 图.
—
164 245 T
J
= 125
°
c        14            i
F
= 16a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
—
5.8 10 一个 T
J
= 25
°
c    看 图.
—
8.3 15 T
J
= 125
°
c        15          v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
—
260 675 nC T
J
= 25
°
c     看 图.
—
680 1838 T
J
= 125
°
c         16       di/dt = 200a/µs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复
—
120
—
一个/µs T
J
= 25
°
c     看 图.
在 t
b
—
76
—
T
J
= 125
°
c        17
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
ns
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压

1200
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
∆
V
(br)ces
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
—
0.91
—
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
—
2.77 3.5 I
C
= 24a V
GE
= 15v
—
3.28
—
VI
C
= 45a 看 图. 2, 5
—
2.54
—
I
C
= 24a, t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0
—
6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
∆
V
ge(th)
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
—
-10
—
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导

13 19
—
SV
CE
= 100v, i
C
= 24a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
——
250 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v
——
6500 V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v, t
J
= 150
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 漏出
—
2.5 3.5 V I
C
= 16a 看 图. 13
—
2.1 3.0 I
C
= 16a, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
±100 nA V
GE
= ±20v
电的 特性 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)

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IRG4PH50KD 2 www.irf.com 参数最小值典型值最大值单位情况 Q g 总的门承担 (转变-在) — 180 270 I C = 24a Q ge 门 - 发射级承担 (转变-在) — 25 38 nC V CC = 400v 看图.8 Q gc 门 - 集电级承担 (转变-在) — 70 110 V GE = 15v t d(在) 转变-在延迟时间 — 87 — t r 上升时间 — 100 — T J = 25 ° C t d(止) 转变-止延迟时间 — 140 300 I C = 24a, v CC = 800v t f 下降时间 — 200 300 V GE = 15v, r G = 5.0 Ω E 在转变-在切换丧失 — 3.83 — 活力 losses 包含 "tail" E 止转变-止切换丧失 — 1.90 — mJ 和二极管反转恢复 E ts 总的切换丧失 — 5.73 7.9 看图. 9,10,18 t sc 短的电路承受时间 10 —— µs V CC = 720v, t J = 125 ° C V GE = 15v, r G = 5.0 Ω t d(在) 转变-在延迟时间 — 67 — T J = 150 ° c, 看图. 10,11,18 t r 上升时间 — 72 — I C = 24a, v CC = 800v t d(止) 转变-止延迟时间 — 310 — V GE = 15v, r G = 5.0 Ω, t f 下降时间 — 390 — 活力 losses 包含 "tail" E ts 总的切换丧失 — 8.36 — mJ 和二极管反转恢复 L E 内部的发射级电感 — 13 — nH 量过的 5mm 从包装 C ies 输入电容 — 2800 — V GE = 0v C oes 输出电容 — 140 — pF V CC = 30v 看图. 7 C res 反转转移电容 — 53 —ƒ = 1.0mhz t rr 二极管反转恢复时间 — 90 135 ns T J = 25 ° c 看图. — 164 245 T J = 125 ° c 14 i F = 16a I rr 二极管顶峰反转恢复电流 — 5.8 10 一个 T J = 25 ° c 看图. — 8.3 15 T J = 125 ° c 15 v R = 200v Q rr 二极管反转恢复承担 — 260 675 nC T J = 25 ° c 看图. — 680 1838 T J = 125 ° c 16 di/dt = 200a/µs di (rec)m /dt 二极管顶峰比率的下降的恢复 — 120 — 一个/µs T J = 25 ° c 看图. 在 t b — 76 — T J = 125 ° c 17 切换特性 @ t J = 25°c (除非否则指定) ns ns 参数最小值典型值最大值单位情况 V (br)ces 集电级-至-发射级损坏电压  1200 —— VV GE = 0v, i C = 250µa ∆ V (br)ces / ∆ T J 温度 coeff. 的损坏电压 — 0.91 — v/ ° CV GE = 0v, i C = 1.0ma V ce(在) 集电级-至-发射级饱和电压 — 2.77 3.5 I C = 24a V GE = 15v — 3.28 — VI C = 45a 看图. 2, 5 — 2.54 — I C = 24a, t J = 150 ° C V ge(th) 门门槛电压 3.0 — 6.0 V CE = v GE , i C = 250µa ∆ V ge(th) / ∆ T J 温度 coeff. 的门槛电压 — -10 — mv/ ° CV CE = v GE , i C = 250µa g fe 向前跨导  13 19 — SV CE = 100v, i C = 24a I CES 零门电压集电级电流 —— 250 µA V GE = 0v, v CE = 1200v —— 6500 V GE = 0v, v CE = 1200v, t J = 150 ° C V FM 二极管向前电压漏出 — 2.5 3.5 V I C = 16a 看图. 13 — 2.1 3.0 I C = 16a, t J = 150 ° C I GES 门-至-发射级泄漏电流 —— ±100 nA V GE = ±20v 电的特性 @ t J = 25 ° c (除非否则指定)

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