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资料编号:342321
 
资料名称:IRG4PSH71KD
 
文件大小: 200.03K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
 
 


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IRG4PSH71KD
www.irf.com 7
图. 14
- 典型 反转 恢复 vs. di
f
/dt
图. 15
- 典型 恢复 电流 vs. di
f
/dt
图. 16
- 典型 贮存 承担 vs. di
f
/dt
图. 17
- 典型 di
(rec)m
/dt vs. di
f
/dt
di (rec) m/dt- (一个 /µs)
irr- ( 一个)
trr- (nc)
qrr- (nc)
0
100
200
300
100 1000
f
di /dt -
(一个/µs)
i = 84a
i = 42a
i = 21a
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
1
10
100
100 1000
f
di /dt - (一个/µs)
i = 84a
i = 42a
i = 21a
F
F
F
v = 200v
t =125°C
t =25°C
R
J
J
0
1000
2000
3000
4000
5000
100 1000
f
di /dt - (一个/µs)
i = 84a
i = 42a
i = 21a
F
F
F
v = 200v
t =125°C
t =25°C
R
J
J
100
1000
10000
100 1000
f
di /dt - (一个/µs)
i = 84a
i = 42a
i = 21a
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
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