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IRG4RC10UD
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Vg
门 信号
设备 下面 tes
T
电流 d.u.t.
电压 在 d.u.t.
电流 在 d1
t0 t1
t2
d.u.t.
v *
c
50V
L
1000V
6000µF
100V
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 
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L
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C
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°
C
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
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
包装 外形
至-252aa 外形
维度 是 显示 在 毫米 (英寸)
6.73(.2 65 )
6.35(.2 50 )
- 一个 -
4
1          2          3
6.22(.2 45 )
5.97(.2 35 )
- b -
3X
0.89(.0 35 )
0.64(.0 25 )
0.25(.0 10 )M 一个 M B
4.57( .18 0)
2.28(.0 90 )
2X
1.14(.0 45)
0.76(.0 30)
1.52( .06 0)
1.15( .04 5)
1.02(.040)
1.64(.025)
5.46(.215)
5.21(.205)
1.27( .0 50)
0.88( .0 35)
2.38(.0 94 )
2.19(.0 86 )
1.14( .0 45)
0.89( .0 35)
0.58(.023)
0.46(.018)
6.45(.245)
5.68(.224)
0.51(.020)
M 在 .
0.58(.0 23)
0.46(.0 18)
含铅的 assignments
1 - 门
2 - d R 一个 在
3 - 源
4 - d R 一个 在
10.42(.410)
9.40(.3 70 )
注释:
1  dimensioning &放大; tolerancing 每 ansi y14.5m, 1982.
2  controlling 维度 : inch.
3  遵从 至 电子元件工业联合会 外形 至-252aa.
4  维度 显示n 是 在之前 焊盘 插件,
焊盘 dip 最大值 +0.16(.0 06 ).
含铅的 assignments
1 - 门
2 - 集电级
3 - 发射级
4 - 集电级

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IRG4RC10UD www.irf.com 9 Vg 门信号设备下面 tes T 电流 d.u.t. 电压在 d.u.t. 电流在 d1 t0 t1 t2 d.u.t. v * c 50V L 1000V 6000µF 100V                 R L = 480V 4 x i C @25 ° C 0 - 480v     包装外形至-252aa 外形维度是显示在毫米 (英寸) 6.73(.2 65 ) 6.35(.2 50 ) - 一个 - 4 1 2 3 6.22(.2 45 ) 5.97(.2 35 ) - b - 3X 0.89(.0 35 ) 0.64(.0 25 ) 0.25(.0 10 )M 一个 M B 4.57( .18 0) 2.28(.0 90 ) 2X 1.14(.0 45) 0.76(.0 30) 1.52( .06 0) 1.15( .04 5) 1.02(.040) 1.64(.025) 5.46(.215) 5.21(.205) 1.27( .0 50) 0.88( .0 35) 2.38(.0 94 ) 2.19(.0 86 ) 1.14( .0 45) 0.89( .0 35) 0.58(.023) 0.46(.018) 6.45(.245) 5.68(.224) 0.51(.020) M 在 . 0.58(.0 23) 0.46(.0 18) 含铅的 assignments 1 - 门 2 - d R 一个在 3 - 源 4 - d R 一个在 10.42(.410) 9.40(.3 70 ) 注释: 1 dimensioning &放大; tolerancing 每 ansi y14.5m, 1982. 2 controlling 维度 : inch. 3 遵从至电子元件工业联合会外形至-252aa. 4 维度显示n 是在之前焊盘插件, 焊盘 dip 最大值 +0.16(.0 06 ). 含铅的 assignments 1 - 门 2 - 集电级 3 - 发射级 4 - 集电级

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