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资料编号:342338
 
资料名称:IRG4RC20F
 
文件大小: 264.06K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4RC20F
www.irf.com 3
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(加载 电流 = i
RMS
的 基本的)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
1
10
100
6 8 10 12 14
v , 门-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
GE
C
v = 50v
5µs 脉冲波 宽度
CC
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
0
10
20
30
0.1 1 10 100
f, 频率 (khz)
加载 current (一个)
一个
60% 的 评估
电压
完美的 二极管
正方形的 wave:
为 两个都:
职责 循环: 50%
t = 125°c
t = 90°c
门 驱动 作 指定
下沉
J
Triangular 波:
clamp 电压:
80% 的 评估
电源 消耗 = 15w


 !"#
CE
C
I , Collector-至-emitter 电流 (一个)
V , 集电级-至-发射级 电压 (v)
V = 15V
20µs 脉冲波 宽度
GE
)
T = 25°C
J
T = 150°C
J
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