数据 薄板 m12650ejbv0ds00
3
µ
µµ
µ
pd45128441, 45128841, 45128163
部分 号码
µ
pd45128841g5 - a75
接口
1 : lvttl
号码 的 banks
4 : 4 banks
Organization
4 : x4
8 : x8
记忆 密度
128 : 128m 位
同步的 dram
nec 记忆
包装
g5 : tsop (ii)
低 电压
一个 : 3.3 v
±
0.3 v
最小 循环 时间
75 : 7.5 ns (133 mhz)
80 : 8 ns (125 mhz)
10 : 10 ns (100 mhz)
10B: 10 ns (100 mhz)
[ x4, x8 ]
163
[ x16 ]
号码 的 banks
和 接口
3 : 4 banks, lvttl
Organization
16 : x16