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资料编号:343021
 
资料名称:G5645
 
文件大小: 148.22K
   
说明
 
介绍:
GaAsP photodiode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
磷砷化镓 photodiode
diffusion 类型
incident 明亮的 水平的 (
lx
)
(典型值. ta=25
˚
c, 一个 明亮的 源 全部地 illuminated)
输出 电流 (一个)
10
-14
10
-12
10
-10
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
10
-16
10
-16
10
-12
10
-14
10
0
10
-2
10
-4
10
-6
10
-8
10
-10
10
0
谈及 至 nep 值 在 典型的 表格.
R
L
=100
borosilicate glass window 将 扩展
一个 最大 的 0.1 mm 在之外 这 upper
表面 的 这 cap.
连接
至 情况
14
2.4
3.55 ± 0.2
4.7 ± 0.1
5.4 ± 0.2
2.54 ± 0.2
WINDOW
3.0 ± 0.2
0.45
含铅的
(3.4)
6.5 ±
0.2
1.25 ±
0.25 1.25 ±
0.25
2.54
起作用的 范围
(3 ×) 0.5
4.0
4.0
0.65
0.1
+
0.2
-
0.1
0.850.2
3.2
(过滤)
4.0
4.0
4.0
3.2
(过滤)
1.5
n/c
CATHODE
ANODE
PHOTOSENSITIVE
表面
■■
■■
KGPDB0008EA
G5645
■■
■■
dimensional 轮廓 (单位: mm)
KGPDA0012EA
g5842, g6262
KGPDA0004EA
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