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资料编号:345296
资料名称:
GA125TS120U
文件大小: 221.46K
说明
:
介绍
:
HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
GA125TS120U
2
www.irf.com
参数
最小值
典型值
最大值
单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
—
989
1484
V
CC
= 400v
Qge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
—
167
250
nC
I
C
= 148a
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
—
328
492
T
J
= 25
°
C
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
186
—
R
G1
= 15
Ω
, r
G2
= 0
Ω
,
t
r
上升 时间
—
159
—
ns
I
C
= 125a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
459
—
V
cc =
720V
t
f
下降 时间
—
404
—
V
GE
= ±15v
E
在
转变-在 切换 活力
—
19
—
mJ
inductor 加载
E
止 (1)
转变-止 切换 活力
—
31
—
E
ts (1)
总的 切换 活力
—
49
75
C
ies
输入 电容
—
22258
—
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
—
989
—
pF
V
CC
= 30v
C
res
反转 转移 电容
—
192
—ƒ
= 1 mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
—
181
—
ns
I
C
= 125a
I
rr
二极管 顶峰 reversecurrent
—
126
—
AR
G1
= 15
Ω
Q
rr
二极管 恢复 承担
—
11360
—
nC
R
G2
= 0
Ω
di
(rec)
M
/dt
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复
—
1875
—
一个/µs
V
cc =
720V
在 t
b
di/dt =1448a/µs
参数
最小值
典型值
最大值
单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
1200
——
V
GE
= 0v, i
C
= 1ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 电压
—
2.2
3.0
V
GE
= 15v, i
C
= 125a
—
2.1
—
VV
GE
= 15v, i
C
= 125a, t
J
= 125
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压
3.0
—
6.0
V
CE
= 6.0v, i
C
= 1.5ma
∆
V
ge(th)
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
—
-11
—
mv/
°
CV
CE
= 6.0v, i
C
= 1.5ma
g
fe
向前 跨导
➃
—
170
—
SV
CE
= 25v, i
C
= 125a
I
CES
集电级-至-发射级 leaking 电流
——
1.0
毫安
V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v
——
10
V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v, t
J
= 125
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 - 最大
—
2.7
4.2
V
I
F
= 125a, v
GE
= 0v
—
2.6
—
I
F
= 125a, v
GE
= 0v, t
J
= 125
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
250
nA
V
GE
= ±20v
动态 特性 - t
J
= 125°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
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