GA150KS61U_集成电路资料查询网

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2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
—
624 937 V
CC
= 400v
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
—
121 182 nC I
C
= 94a
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
—
212 317 T
J
= 25
°
C
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
241
—
R
G1
= 27
Ω
, r
G2
= 0
Ω
,
t
r
上升 时间
—
145
—
ns I
C
= 150a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
336
—
V
cc =
360V
t
f
下降 时间
—
227
—
V
GE
= ±15v
E
在
转变-在 切换 活力
—
6.0
—
mJ
E
止 (1)
转变-止 切换 活力
—
12
—
E
ts (1)
总的 切换 活力
—
19 33
C
ies
输入 电容
—
13878
—
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
—
867
—
pF V
CC
= 30v
C
res
反转 转移 电容
—
181
—ƒ
= 1 mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
—
139
—
ns I
C
= 150a
I
rr
二极管 顶峰 reversecurrent
—
100
—
AR
G1
= 27
Ω
Q
rr
二极管 恢复 承担
—
6938
—
nC R
G2
= 0
Ω
di
(rec)
M
/dt
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复
—
4682
—
一个/µs V
cc =
360V
在 t
b
di/dt =1400a/µs
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 600
——
V
GE
= 0v, i
C
= 1ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 电压
—
1.7 2.3 V
GE
= 15v, i
C
= 150a
—
1.7
—
VV
GE
= 15v, i
C
= 150a, t
J
= 125
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0
—
6.0 I
C
= 750µa
∆
V
ge(th)
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
—
-11
—
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 750µa
g
fe
向前 跨导

—
152
—
SV
CE
= 25v, i
C
= 150a
I
CES
集电级-至-发射级 leaking 电流
——
1.0 毫安 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
——
10 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 125
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 - 最大
—
1.4 2.0 V I
F
= 150a,  v
GE
= 0v
—
1.4
—
I
F
= 150a, v
GE
= 0v, t
J
= 125
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
250 nA V
GE
= ±20v
动态 特性 - t
J
= 125°c   (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)

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 2 www.irf.com 参数最小值典型值最大值单位情况 Q g 总的门承担 (转变-在) — 624 937 V CC = 400v Q ge 门 - 发射级承担 (转变-在) — 121 182 nC I C = 94a Q gc 门 - 集电级承担 (转变-在) — 212 317 T J = 25 ° C t d(在) 转变-在延迟时间 — 241 — R G1 = 27 Ω , r G2 = 0 Ω , t r 上升时间 — 145 — ns I C = 150a t d(止) 转变-止延迟时间 — 336 — V cc = 360V t f 下降时间 — 227 — V GE = ±15v E 在转变-在切换活力 — 6.0 — mJ E 止 (1) 转变-止切换活力 — 12 — E ts (1) 总的切换活力 — 19 33 C ies 输入电容 — 13878 — V GE = 0v C oes 输出电容 — 867 — pF V CC = 30v C res 反转转移电容 — 181 —ƒ = 1 mhz t rr 二极管反转恢复时间 — 139 — ns I C = 150a I rr 二极管顶峰 reversecurrent — 100 — AR G1 = 27 Ω Q rr 二极管恢复承担 — 6938 — nC R G2 = 0 Ω di (rec) M /dt 二极管顶峰比率的下降的恢复 — 4682 — 一个/µs V cc = 360V 在 t b di/dt =1400a/µs 参数最小值典型值最大值单位情况 V (br)ces 集电级-至-发射级损坏电压 600 —— V GE = 0v, i C = 1ma V ce(在) 集电级-至-发射级电压 — 1.7 2.3 V GE = 15v, i C = 150a — 1.7 — VV GE = 15v, i C = 150a, t J = 125 ° C V ge(th) 门门槛电压 3.0 — 6.0 I C = 750µa ∆ V ge(th) / ∆ T J 温度 coeff. 的门槛电压 — -11 — mv/ ° CV CE = v GE , i C = 750µa g fe 向前跨导  — 152 — SV CE = 25v, i C = 150a I CES 集电级-至-发射级 leaking 电流 —— 1.0 毫安 V GE = 0v, v CE = 600v —— 10 V GE = 0v, v CE = 600v, t J = 125 ° C V FM 二极管向前电压 - 最大 — 1.4 2.0 V I F = 150a, v GE = 0v — 1.4 — I F = 150a, v GE = 0v, t J = 125 ° C I GES 门-至-发射级泄漏电流 —— 250 nA V GE = ±20v 动态特性 - t J = 125°c (除非否则指定) 电的特性 @ t J = 25°c (除非否则指定)

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