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资料编号:345327
资料名称:
GA200SA60S
文件大小: 201.54K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
GA200SA60S
www.irf.com
3
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(加载 电流 = i
RMS
的 基本的)
加载 电流 ( 一个 )
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
1
10
100
1000
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
v , 集电级-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
CE
C
v = 15v
20
µs 脉冲波 宽度
GE
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
0
50
100
150
200
250
0.1
1
10
100
f, fre
q
uenc
y
(
kHz
)
一个
60% 的 评估
电压
完美的 二极管
正方形的 波:
为 两个都:
职责 循环: 50%
t = 125
°
C
t = 90
°
C
门 驱动 作 指定
下沉
J
triangular 波:
C
lamp 电压:
80% 的 评估
电源 消耗 = 140w
10
100
1000
5
6
7
v , 门-至-发射级 volta
ge (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
GE
C
v = 50v
5µs 脉冲波 宽度
CC
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
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