首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:345574
 
资料名称:GA600GD25S
 
文件大小: 636.06K
   
说明
 
介绍:
SINGLE SWITCH IGBT DUAL INT-A-PAK
 
 


: 点此下载
  浏览型号GA600GD25S的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号GA600GD25S的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号GA600GD25S的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号GA600GD25S的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号GA600GD25S的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号GA600GD25S的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号GA600GD25S的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号GA600GD25S的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 250 V
GE
= 0v, i
C
= 1ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 电压 1.25 1.4 V
GE
= 15v, i
C
= 600a
1.25 V V
GE
= 15v, i
C
= 600a, t
J
= 125°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 6.0 I
C
= 5.0ma, v
CE
= 6.0v
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压 -11 mv/°c V
CE
= 6.0v, i
C
= 5.0ma,t
C
= 25/125°c
g
fe
向前 跨导

720 S V
CE
= 25v, i
C
= 600a
I
CES
集电级-至-发射级 leaking 电流 2.0 毫安 V
GE
= 0v, v
CE
= 250v
——20 V
GE
= 0v, v
CE
= 250v, t
J
= 125°c
V
FM
二极管 向前 电压 - 最大 1.5 1.8 V I
F
= 300a, v
GE
= 0v
1.5 I
F
= 300a, v
GE
= 0v, t
J
= 125°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 1.0 µA V
GE
= ±14v (18v zeners 门-发射级)
T
DP
脉冲波 二极管 温度 上升 80 °C I
C
= 300a, t = 150msec, tc =70°c
r-t
25
thermistor, 积极的 温度 系数 738 820 902
I
= 100ma,p = 2.5mw/°c (看 便条 1)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) 3825 5738 V
CC
= 200v, v
GE
= 15v
Qge 门 - 发射级 承担 (转变-在) 555 832 nC I
C
= 600a
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) 1262 1893 T
J
= 25°c
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 1060 R
G1
= 15
, r
G2
= 0
,
t
r
上升 时间 950 ns I
C
= 600a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 846 V
cc =
150v, inductor 加载
t
f
下降 时间 934 V
GE
= ±15v
E
转变-在 切换 活力 17 mJ 看 图. 17, 19
E
止 (1)
转变-止 切换 活力 105
E
ts (1)
总的 切换 活力 122 250
C
ies
输入 电容 86063 V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 9754 pF V
CC
= 30v
C
res
反转 转移 电容 1913 ƒ = 1 mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 314 ns I
C
= 600a
I
rr
二极管 顶峰 reversecurrent 80 一个 R
G1
= 15
Q
rr
二极管 恢复 承担 12513 µC R
G2
= 0
di
(rec)
M
/dt
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复 632 一个/µs V
cc =
150V
在 t
b
di/dt = 500a/µs
动态 特性 - t
J
= 125°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
注释:
1. 这 thermistor 有 一个 平均 比率 的 改变 的 7
/°c 在 20°c 和 125°c.
咨询 u.s. 传感器 数据 薄板 为 p821gs1k 为 详细信息
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com