ds05-20883-2e
fujitsu 半导体
数据SHEET
flash 记忆
CMOS
16m (2m
×
8/1m
×
16) 位
mbm29lv160te/是
-
70/90/12
■
一般 描述
这 mbm29lv160te/是 是 一个 16m-位, 3.0 v-仅有的 flash 记忆 有组织的 作 2m 字节 的 8 位 各自 或者 1m words
的 16 位 各自. 这 mbm29lv160te/是 是 offered 在 一个 48-管脚 tsop (i), 48-pin csop 和 48-ball fbga
包装. 这 设备 是 设计 至 是 编写程序 在-系统 和 这 标准 系统 3.0 v v
CC
供应. 12.0
v v
PP
和 5.0 v v
CC
是 不 必需的 为 写 或者 擦掉 行动. 这 设备 能 也 是 reprogrammed 在
标准 非易失存储器 programmers.
这 标准 mbm29lv160te/是 提供 进入 时间 的 70 ns, 90 ns 和 120 ns, 准许 运作 的 高-
速 微处理器 没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention 这 设备 有 独立的 碎片 使能 (ce
),
写 使能 (我们
), 和 输出 使能 (oe) 控制.
这 mbm29lv160te/是 是 管脚 和 command 设置 兼容 和 电子元件工业联合会 标准 e
2
proms. commands 是
写 至 这 command 寄存器 使用 标准 微处理器 写 timings. 寄存器 内容 提供 作 输入
至 一个 内部的 状态-机器 这个 控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统. 写 循环 也 内部 获得
地址 和 数据 需要 为 这 程序编制 和 擦掉 行动. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的
至 读 从 5.0 v 和 12.0 v flash 或者 非易失存储器 设备.
这 mbm29lv160te/是 是 编写程序 用 executing 这 程序 command sequence. 这个 将 invoke 这
embedded 程序
TM*
algorithm 这个 是 一个 内部的 algorithm 那 automatically 时间 这 程序 脉冲波 widths
和 核实 恰当的 cell margins. 典型地, 各自 sector 能 是 编写程序 和 核实 在 关于 0.5 秒.
擦掉 是 accomplished 用 executing 这 擦掉 command sequence. 这个 将 invoke 这 embedded 擦掉
TM*
algorithm 这个 是 一个 内部的 algorithm 那 automatically preprograms 这 排列 如果 它 是 不 already 编写程序
在之前 executing 这 擦掉 运作. 在 擦掉, 这 设备 automatically 时间 这 擦掉 脉冲波 widths 和
核实 恰当的 cell margins.
任何 单独的 sector 是 典型地 erased 和 核实 在 1.0 第二. (如果 already preprogrammed.)
在里面 一个 sector 同时发生地 通过 fowler-nordhiem tunneling. 这 字节/words 是 编写程序 一个 字节/文字
在 一个 时间 使用 这 非易失存储器 程序编制 mechanism 的 hot electron injection.
(持续)
■
产品 线条 向上
部分 非. mbm29lv160te/160be
订货 part 非.
V
CC
= 3.3 v
70 — —
V
CC
= 3.0 v
—9012
最大值 地址 进入 时间 (ns) 70 90 120
最大值 ce
进入 时间 (ns) 70 90 120
最大值 oe
进入 时间 (ns) 30 35 50
+0.3 v
–0.3 v
+0.6 v
–0.3 v
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