ds05-20888-6e
fujitsu 半导体
数据SHEET
flash 记忆
CMOS
8 m (1 m
×
××
×
8/512 k
×
××
×
16) 位
MBM29LV800TE
60/70/90
/mbm29lv800be
60/70/90
■
描述
这 mbm29lv800te/是 是 一个 8 m-位, 3.0 v-仅有的 flash 记忆 有组织的 作 1 m 字节 的 8 位 各自 或者
512 kwords 的 16 位 各自. 这 mbm29lv800te/是 是 offered 在 一个 48-管脚 tsop (1) , 48-pin csop 和 48-
球 fbga 包装. 这些 设备 是 设计 至 是 编写程序 在 一个 系统 和 这 标准 系统 3.0 v
V
CC
供应. 12.0 v v
PP
和 5.0 v v
CC
是 不 必需的 为 写 或者 擦掉 行动. 这 设备 能 也 是
reprogrammed 在 标准 非易失存储器 programmers.
(持续)
■
产品 线条 向上
■
包装
部分 非. mbm29lv800te/是
订货 部分 非.
V
CC
=
3.3 v 60
V
CC
=
3.0 v
70 90
最大值 地址 进入 时间 (ns) 60 70 90
最大值 ce
进入 时间 (ns) 60 70 90
最大值 oe
进入 时间 (ns) 30 30 35
48-管脚 塑料 tsop (1) 48-管脚 塑料 csop 48-球 塑料 fbga
(fpt-48p-m19) (lcc-48p-m03) (bga-48p-m20)
+
0.3 v
−
0.3 v
+
0.6 v
−
0.3 v
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