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资料编号:347001
资料名称:
IRGBC30UD2
文件大小: 413.88K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A)
: 点此下载
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4
5
6
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8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
c-707
图. 14
- 典型 反转 恢复 vs. di
f
/dt
图. 15
- 典型 恢复 电流 vs. di
f
/dt
图. 16
- 典型 贮存 承担 vs. di
f
/dt
图. 17
- 典型 di
(rec)m
/dt vs. di
f
/dt
IRGBC30UD2
0
200
400
600
100
1000
f
d
i
/
d
t
-
(
一个
/
µ
s
)
RR
q - (nc)
I
=
6
.
0
一个
I
=
12
一个
I
=
24
一个
V
=
200
V
T
=
1
25
°
C
T
=
2
5
°
C
R
J
J
F
F
F
10
100
1000
10000
100
1000
f
d
i
/
d
t
-
(
一个
/
µ
s
)
di(rec)m/dt - (一个/µs)
I
=
12
一个
I
=
24
一个
I
=
6
.
0
一个
F
F
F
V
=
200
V
T
=
1
25
°
C
T
=
2
5
°
C
R
J
J
0
40
80
120
160
100
1000
f
d
i
/
d
t
-
(
一个
/
µ
s
)
t - (ns)
rr
I
=
24
一个
I
=
12
一个
I
=
6
.
0
一个
F
F
F
V
=
200
V
T
=
1
25
°
C
T
=
2
5
°
C
R
J
J
1
10
100
100
1000
f
d
i
/
d
t
-
(
一个
/
µ
s
)
i - (一个)
IRRM
I
=
6
.
0
一个
I
=
12
一个
I
=
24
一个
F
F
F
V
=
2
00
V
T
=
12
5
°
C
T
=
25
°
C
R
J
J
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