c-61
IRGBC30F
图. 7 -
典型 电容 vs.
集电级-至-发射级 电压
图. 8
- 典型 门 承担 vs.
门-至-发射级 电压
图. 9
- 典型 切换 losses vs. 门
阻抗
图. 10
- 典型 切换 losses vs.
情况 温度
0
2 00
4 00
6 00
8 00
1 0 00
1 2 00
1 4 00
1 1 0 10 0
C E
C ,C 一个p 一个 c ita n ce (pF )
V ,C o lle c to r-to -E m itte rV o lt一个 g e(V )
V=0V,f=1MHz
C=C+C,CSHORTED
C=C
C=C+C
GE
iesgegcce
resgc
oescegc
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0 5 1 0 1 5 20 2 5 3 0
G E
V ,G 一个te-至-e m 它terV olt一个ge(V)
Q,T ot一个lG 一个teC h一个rge(nC )
g
V = 40 0 V
I=1 7一个
C E
C
2 .2
2 .3
2 .4
2 .5
2 .6
2 .7
0 10 2 0 3 0 40 5 0 6 0
G
To ta lSw itching L osses(m J)
R,G一个teR esist一个nce()
Ω
W
V = 4 80 V
V = 15 V
T= 25 °C
I= 1 7一个
C C
G E
C
C
1
1 0
-6 0 -4 0 -2 0 0 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0 1 2 0 1 4 0 1 6 0
C
T,C 一个seTem per一个ture(°C)
To ta lS w itc hingLo sse s(m J)
R= 2 3
V = 15 V
V = 4 80 V
G
GE
CC
Ω
I= 3 4 一个
I= 1 7 一个
I= 8.5 一个
C
C
C
至 顺序
next 数据 sheetindex
previous 数据手册