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资料编号:349851
 
资料名称:GFB50N03
 
文件大小: 109.23K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
 
 


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比率 和
典型的 曲线
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
GFB50N03
n-频道 增强-模式 场效应晶体管
图. 11
瞬时 热的
阻抗
图. 13
最大 safe 运行 范围
I
D
-- 流 电流 (一个)
V
DS
-- 流-源 电压 (v)
0.1
1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10 100
0.10.010.0010.0001 1 10
图. 12
电源 vs. 脉冲波 持续时间
V
GS
= 10v
单独的 脉冲波
R
θ
JC
= 2.0
°
c/w
T
一个
= 25
°
C
R
ds(在)
限制
100
µ
s
1ms
10m
s
直流
100ms
0.001 0.010.0001
0
200
400
600
800
1000
0.1 1 10
1. 职责 循环, d = t
1
/t
2
2. r
θ
JA
(t) = r
θ
ja(norm)
*R
θ
JA
3. r
θ
JA
= 2.0
°
c/w
4. t
J
-- t
一个
= p
DM
* r
θ
JA
(t)
37
36
38
40
43
44
39
--50 --25 25 50 75 100 1250
图. 10
损坏 电压
vs. 接合面 温度
150
I
D
= 250
µ
一个
BV
DSS
-- 损坏 电压 (v)
T
J
-- 接合面 温度 (
°
c)
41
42
单独的 脉冲波
R
θ
JA
= 2.0
°
c/w
T
C
= 25
°
C
脉冲波 持续时间 (秒.)
电源 (w)
脉冲波 持续时间 (秒.)
R
θ
JA(norm)
-- normalized 热的
阻抗
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