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inductive 加载, t
J
= 25
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, l = 100
h,
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 10
inductive 加载, t
J
= 125
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, l = 100
H
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 10
便条 1
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
I
C
= i
C90
; v
CE
= 10 v, 9 17 S
脉冲波 测试, t
300
s, 职责 循环
2 %
C
ies
1500 pF
C
oes
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v, f = 1 mhz 175 pF
C
res
40 pF
Q
g
90 nC
Q
ge
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, v
CE
= 0.5 v
CES
11 nC
Q
gc
30 nC
t
d(在)
15 ns
t
ri
35 ns
E
在
0.15 mJ
t
d(止)
150 200 ns
t
fi
100 150 ns
E
止
便条 1 0.7 1.0 mJ
t
d(在)
15 ns
t
ri
35 ns
E
在
0.15 mJ
t
d(止)
220 ns
t
fi
140 ns
E
止
1.2 mJ
R
thJC
0.83 k/w
R
thCK
0.25 k/w
便条 1: 切换 时间 将 增加 为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
, 高等级的 t
J
或者
增加 r
G
ixgh 20n60b
ixgt 20n60b
至-247 ad (ixgh) 外形
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 19.81 20.32 0.780 0.800
B 20.80 21.46 0.819 0.845
C 15.75 16.26 0.610 0.640
D 3.55 3.65 0.140 0.144
E 4.32 5.49 0.170 0.216
F 5.4 6.2 0.212 0.244
G 1.65 2.13 0.065 0.084
H - 4.5 - 0.177
J 1.0 1.4 0.040 0.055
K 10.8 11.0 0.426 0.433
L 4.7 5.3 0.185 0.209
M 0.4 0.8 0.016 0.031
N 1.5 2.49 0.087 0.102
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.9 5.1 .193 .201
一个
1
2.7 2.9 .106 .114
一个
2
.02 .25 .001 .010
b 1.15 1.45 .045 .057
b
2
1.9 2.1 .75 .83
C .4 .65 .016 .026
D 13.80 14.00 .543 .551
E 15.85 16.05 .624 .632
E
1
13.3 13.6 .524 .535
e 5.45 bsc .215 bsc
H 18.70 19.10 .736 .752
L 2.40 2.70 .094 .106
L1 1.20 1.40 .047 .055
L2 1.00 1.15 .039 .045
L3 0.25 bsc .010 bsc
L4 3.80 4.10 .150 .161
至-268aa (d
3
pak)
最小值 推荐 footprint
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
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