电的
•
热的 特性
特性
标识 测试 情况 最大 值. 单位
顶峰 反转 电流 *1
I
RM
V
RM
= v
rrm,
tj= 125
°
C
20 毫安
顶峰 向前 电压 *1
V
FM
I
FM
= 200a, tj=25
°
C
1.20 V
热的 阻抗 rth(j-c) 接合面 至 情况 (总的) 0.10
°
c/W
*1 值 每 1 arm
最大 比率
等级
参数
标识
PGH2008AM
单位
repetitive 顶峰 止-状态 电压
V
DRM
800
非 repetitive 顶峰 止-状态 电压
V
DSM
900
V
repetitive 顶峰 反转 电压
V
RRM
800
非 repetitive 顶峰 反转 电压
V
RSM
900
V
参数
情况
最大值 评估
值
单位
surge 在-状态 电流 I
TSM
50 hz half sine 波,1pulse
非-repetitive
3200 一个
i squared t I
2
t 2msec 至 10msec 51200 一个
2
s
核心的 比率 的 转变-在 电流 di/dt
V
D
=2/3v
DRM
, i
TM
=2
•
I
O
, tj=125
°
C
I
G
=300ma, di
G
/dt=0.2a/
µ
s
100
一个/
µ
s
顶峰 门 电源 P
GM
5 W
平均 门 电源 P
g(av)
1 w
顶峰 门 电流 I
GM
2 一个
顶峰 门 电压 V
GM
10 V
顶峰 门 反转 电压 V
RGM
5 V
电的
•
热的 特性
最大 值.
特性
标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
顶峰 止-状态 电流
I
DM
V
DM
= v
drm,
tj= 125
°
C
30 毫安
顶峰 反转 电流
I
RM
V
RM
= v
rrm,
tj= 125
°
C
30 毫安
顶峰 在-状态 电压
V
TM
I
TM
= 200a, tj=25
°
C
1.23 V
tj=-40
°
C
300
Tj=25
°
C
150
门 电流 至 触发 I
GT
V
D
=6v,i
T
=1A
Tj=125
°
C
80
毫安
tj=-40
°
C
5.0
Tj=25
°
C
3.0
门 电压 至 触发 V
GT
V
D
=6v,i
T
=1A
Tj=125
°
C
2.0
V
门 非-触发 电压 V
GD
V
D
=2/3v
DRM
Tj=125
°
C
0.25 V
核心的 比率 的 上升 的 止-状态 电压 dv/dt
V
D
=2/3v
DRM
Tj=125
°
C
500
v/
µ
s
转变-止 时间 tq
I
TM
=I
O
,v
D
=2/3v
DRM
dv/dt=20v/
µ
s,V
R
=100V
-di/dt=20a/
µ
s, tj=125
°
C
150
µ
s
转变-在 时间 tgt 6
µ
s
延迟 时间 td 2
µ
s
上升 时间 tr
V
D
=2/3v
DRM
Tj=125
°
C
I
G
=300ma, di
G
/dt=0.2a/
µ
s
4
µ
s
闭锁 电流 I
L
Tj=25
°
C
150 毫安
支持 电流 I
H
Tj=25
°
C
100
热的 阻抗 rth(j-c) 接合面 至 情况 0.25
°
c/W
部分 的 thyristor (1 消逝)
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