布局 仔细考虑
布局 是 核心的, 预定的 至 这 max662a’s 高 振荡器
频率. 好的 布局 确保 稳固 和 helps
维持 这 输出 电压 下面 重的 负载. 为 最好的
效能, 使用 非常 短的 连接 至 这 capaci-
tors. 这 顺序 的 重要 是: c4, c5, c1, c2.
flash 可擦可编程只读存储器 产品
这 电路 的 图示 3a 是 一个 +12v ±5% 30ma flash
可擦可编程只读存储器 程序编制 电源 供应. 一个 microproces-
sor 控制 这 程序编制 电压 通过 这 shdn
管脚. 当 shdn 是 低, 这 输出 电压 (这个 是
连接 至 这 flash 记忆 v
PP
供应-电压 管脚)
rises 至 +12v 至 facilitate 程序编制 这 flash memo-
ry. 当 shdn 是 高, 这 输出 电压 是 连接
至 v
在
通过 一个 内部的 1k
Ω
电阻.
paralleling 设备
二 max662as 能 是 放置 在 并行的 至 增加
输出 驱动 能力. 这 v
CC
, v
输出
, 和 地 管脚
能 是 paralleled, 减少 管脚 计数. 使用 一个 单独的
绕过 电容 和 一个 单独的 输出 过滤 电容
和 两次 这 电容 值 如果 这 二 设备 能
是 放置 关闭 至 各自 其它. 如果 这 max662as 不能
是 放置 关闭 一起, 使用 独立的 绕过 和
输出 电容. 这 数量 的 输出 波纹
observed 将 决定 whether 单独的 输入 绕过
和 输出 过滤 电容 能 是 使用. 下面 确实
情况, 一个 设备 将 供应 这 总的 输出 cur-
rent. 因此, regardless 的 这 号码 的 设备 在
并行的, 这 最大 持续的 电流 必须 不
超过 50ma.
12v 和 20v 双-输出 电源 供应
使用 这 承担-打气 电压-doubler 电路 的
图示 4, 这 max662a 能 生产 一个 +20v 供应
从 一个 单独的 +5v 供应. 图示 5 显示 这 电流
能力 的 这 +20v 供应.
MAX662A
+12v, 30ma flash 记忆
程序编制 供应
_______________________________________________________________________________________ 5
表格 1. 电容 供应者
MAX662A
*C1
1.0
µ
F
2
1
8
7
c2-
C2+
V
CC
V
输出
PROGRAMMING
CONTROL
直接 from
µ
P
*C2
1.0
µ
F
V
IN
4.75v 至 5.5v
*C4
22
µ
F
V
输出
+12v ±5%
在 30ma
*C5
22
µ
F
C1+
c1-
SHDN
地
3
4
5
6
*sprague 595d 序列 或者 相等的
MAX662A
C1
0.22
µ
F
2
1
8
7
c2-
C2+
V
CC
V
输出
PROGRAMMING
CONTROL
直接 from
µ
P
C2
0.22
µ
F
V
IN
4.75v 至 5.5v
C4
4.7
µ
F
V
输出
+12v ±5%
在 30ma
C5
4.7
µ
F
C1+
c1-
SHDN
地
3
4
5
6
图示 3a. flash 可擦可编程只读存储器 程序编制 电源 供应 为
商业的 温度 范围 产品
图示 3b. flash 可擦可编程只读存储器 程序编制 电源 供应 为
扩展 和/或者 军队 温度 范围 产品
供应者 phone 号码 传真 号码 电容 电容 type*
grm42-6z5u224m50 0.22µf 陶瓷的 (sm)
murata erie (814) 237-1431 (814) 238-0490
RPE123Z5U105M50V 1.0µf 陶瓷的 (th)
595D475X9016A7 4.7µf tantalum (sm)
sprague electric
(603) 224-1961
(207) 324-4140
(603) 224-1430
(207) 324-7223
595D105X9016A7 1.0µf tantalum (sm)
*note: (sm) denotes 表面-挂载 组件, (th) denotes through-hole component.
: 点此下载
